公开(公告)号：CN102888594A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210210547.5

申请日：2012-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范埈 ,  金起成 ,  金荣善 ,  高德吉 ,  林珍永 ,  郑义俊

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L21/02458 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积方法和一种利用该化学气相沉积方法制造发光器件的方法。化学气相沉积(CVD)方法包括：在第一工艺温度下在安装在附属盘上的基底上形成第一半导体层；在第二工艺温度下在第一半导体层上形成第二半导体层。另外，制造发光器件(LED)的方法包括：在第一工艺温度下在安装在附属盘上的基底上形成量子势阱层；在第二工艺温度下在量子势阱层上形成量子势垒层。

公开(公告)号：CN110797386A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910285120.3

申请日：2019-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁智 ,  高德吉 ,  金娟淑

IPC: H01L29/04 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体衬底、半导体外延衬底、集成电路装置及其制造方法。半导体衬底包括：主表面，所述主表面在所述主表面的第一径向上从平行于晶面的第一方向相对于所述晶面倾斜第一偏角，所述第一偏角大于0°；以及凹口，所述凹口在所述主表面的沿所述第一径向的边缘处朝向所述第一方向设置。

公开(公告)号：CN109979988A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811070399.5

申请日：2018-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金娟淑 ,  李仁智 ,  高德吉 ,  郑宇胜

IPC: H01L29/06

Abstract: 提供了一种半导体晶片。所述半导体晶片包括：晶片本体，其包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及斜面部分，其沿着所述晶片本体的外周缘设置并且包括倾斜表面、最外侧点、第一表面端部部分和第二表面端部部分，所述第一表面端部部分将所述斜面部分与所述第一表面连接，所述第二表面端部部分将所述斜面部分与所述第二表面连接。所述倾斜表面的第一切线方向和所述第一表面之间的第一斜角对应于流体在所述第一表面上的毛细作用力，并且所述第一表面端部部分与所述最外侧点之间的沿着与所述第一表面基本平行的第一方向的第一斜面长度对应于第一表面平坦度。

公开(公告)号：CN109979988B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201811070399.5

申请日：2018-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金娟淑 ,  李仁智 ,  高德吉 ,  郑宇胜

IPC: H01L29/06

Abstract: 提供了一种半导体晶片。所述半导体晶片包括：晶片本体，其包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及斜面部分，其沿着所述晶片本体的外周缘设置并且包括倾斜表面、最外侧点、第一表面端部部分和第二表面端部部分，所述第一表面端部部分将所述斜面部分与所述第一表面连接，所述第二表面端部部分将所述斜面部分与所述第二表面连接。所述倾斜表面的第一切线方向和所述第一表面之间的第一斜角对应于流体在所述第一表面上的毛细作用力，并且所述第一表面端部部分与所述最外侧点之间的沿着与所述第一表面基本平行的第一方向的第一斜面长度对应于第一表面平坦度。