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公开(公告)号：CN117410303A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310864826.1
申请日：2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备，包括：电路衬底，其包括驱动器电路和第一接合电极；以及像素阵列，其在电路衬底上并且包括各自包括第一子像素至第三子像素的多个像素和接合至第一接合电极的第二接合电极，像素阵列还包括：多个第一LED单元，其分别对应于第一子像素和第三子像素，并且各自包括第一导电类型半导体层、第一有源层和第二导电类型半导体层；多个第二LED单元，其分别对应于第二子像素，并且各自包括第一导电类型半导体层、第二有源层和第二导电类型半导体层；第一电极，其延伸以覆盖多个第一LED单元和多个第二LED单元的上表面并且共同连接至第一导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN114429965A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111273878.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备，包括：电路板，包括驱动电路；像素阵列，包括位于电路板上的多个像素以及光阻挡分隔件，每个像素包括多个子像素且光阻挡分隔件位于多个子像素之间。多个子像素中的每一个包括配置为产生第一波长的光的下发光二极管(LED)单元。第一子像素包括位于第一下LED单元上的透明树脂结构，第二子像素包括位于第二下LED单元上的单元间绝缘层和具有位于单元间绝缘层上并配置为产生第二波长的光的第二半导体堆叠件的上LED单元，且第三子像素包括位于第三下LED单元上并配置为将第一波长的光转换为第三波长的光的波长转换结构。
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公开(公告)号：CN106206863B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610364734.7
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117410304A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310865459.7
申请日：2023-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种显示设备包括：电路板，其包括驱动器电路；以及像素阵列，其在电路板上包括多个像素，其中多个像素中的每一个包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且其中像素阵列包括下发光结构，下发光结构包括：分别对应于第一子像素、第二子像素和第三子像素的第一下发光二极管(LED)单元、第二下LED单元和第三下LED单元，第一下LED单元、第二下LED单元和第三下LED单元中的每一个包括被配置为发射第一波长的第一光的第一半导体层合件；以及基底绝缘层，其在第一下LED单元、第二下LED单元和第三下LED单元的下表面上，并且包括延伸至第一下LED单元、第二下LED单元和第三下LED单元之间的区域的单元间绝缘部分。
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公开(公告)号：CN106206863A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610364734.7
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , C30B29/403 , C30B33/06 , F21K9/237 , F21K9/275 , F21S41/141 , F21S43/14 , F21V23/005 , F21Y2113/10 , F21Y2115/10 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02658 , H01L33/12 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。
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公开(公告)号：CN107658243B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201710619640.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。
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公开(公告)号：CN110034214A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811509616.6
申请日：2018-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；穿过第二导电半导体层和有源层的多个孔；沿着发光堆叠件的边缘延伸的沟槽，所述沟槽延伸穿过第二导电半导体层和有源层；以及位于所述多个孔内和沟槽内的反射金属层。
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公开(公告)号：CN107978659A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710984379.8
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/02 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B25/183 , C30B29/06 , C30B29/406 , C30B33/12 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/7806 , H01L33/0079 , H01L33/0075
Abstract: 本申请涉及一种制造GaN衬底的方法。在制造GaN衬底的方法中，可在硅衬底的第一表面上形成覆盖层。可在硅衬底的第二表面上形成缓冲层。第二表面可与第一表面相对。通过执行氢化物气相外延工艺，可在缓冲层上形成GaN衬底。可移除覆盖层和硅衬底。
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