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公开(公告)号：CN119698141A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410681083.9
申请日：2024-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10H20/813 , H10H20/812 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种发光器件和包括其的显示装置，该发光器件包括：半导体发光结构，该半导体发光结构包括包含多个孔的第一半导体层、提供在第一半导体层上的发光层和提供在发光层上的第二半导体层；提供在所述多个孔中的多个量子点；以及至少部分地围绕半导体发光结构的侧壁的外部钝化层，其中所述多个量子点提供在所述多个孔和外部钝化层之间。
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公开(公告)号：CN115513348A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210115723.0
申请日：2022-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种基板结构，其包括：基板；设置在基板上的缓冲层；设置在缓冲层上的多孔半导体层，该多孔半导体层具有多个空隙；设置在多孔半导体层上的多个半导体发光结构，所述多个半导体发光结构具有垂直延伸的纳米棒形状；以及设置在所述多个半导体发光结构中的每个的侧壁上的钝化膜，该钝化膜具有绝缘性质。
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公开(公告)号：CN113284882A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110149012.0
申请日：2021-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光装置和显示设备。该半导体发光装置包括：棒形式的发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，并且具有第一表面、与第一表面相对的第二表面和连接第一表面和第二表面的侧表面；再生长半导体层，其围绕发光结构的整个侧表面，并且具有在沿着侧表面的周边的第一位置处的第一厚度和在沿着侧表面的周边的第二位置处的与第一厚度不同的第二厚度；第一电极，其位于发光结构的第一表面上，并且连接到第一导电类型半导体层；以及第二电极，其位于发光结构的第二表面上，并且连接到第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN110729321A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910231211.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种发光装置封装件，包括：单元阵列，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且在第一表面的水平延伸线的一部分上包括半导体发光单元，半导体发光单元中的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于包括第一导电类型半导体层的侧壁的层表面上的有源层和第二导电类型半导体层；波长转换单元，其分别对应于半导体发光单元，并且波长转换单元中的每一个布置成对应于第一导电类型半导体层；阻挡结构，其布置在与单元阵列对应的波长转换单元之间；以及开关单元，其布置在阻挡结构中并且电连接到半导体发光单元。
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公开(公告)号：CN106206863B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610364734.7
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576861A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410562329.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体缓冲结构包括硅衬底、形成在硅衬底上的成核层以及形成在成核层上的缓冲层。缓冲层包括由具有均匀的组分比的氮化物半导体材料形成的第一层、在第一层上的由与成核层相同的材料形成的第二层以及在第二层上的由与第一层相同的材料以相同的组分比形成的第三层。
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公开(公告)号：CN113049129B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202011054017.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种温度测量电路，包括：带隙基准电路，被配置为生成与工作温度无关的固定的带隙基准电压；基准电压生成器电路，被配置为通过调整所述带隙基准电压生成测量基准电压；感测电路，被配置为基于偏置电流生成温变电压，其中，所述温变电压根据所述工作温度变化；模数转换器电路，被配置为基于所述测量基准电压和所述温变电压生成指示所述工作温度的第一数字代码；以及模拟内置自测试(BIST)电路，被配置为生成多个标志信号，其指示所述带隙基准电压、所述测量基准电压和与所述偏置电流相对应的偏置电压中的每一个是否包括在预定范围内。
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公开(公告)号：CN118299479A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311633964.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了发光器件和包括该发光器件的显示装置。在一些实施方式中，一种发光器件包括配置为发射第一波长的光的第一发光元件、提供在第一发光元件上的PN结层、以及提供在PN结层上并配置为发射不同于第一波长的第二波长的光的第二发光元件。PN结层包括提供在第一发光元件上并掺有第一导电类型的杂质的第一导电类型半导体层、以及提供在第一导电类型半导体层上并掺有与第一导电类型电相反的第二导电类型的杂质的第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN116504898A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310079196.7
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了纳米棒发光二极管(LED)、显示装置及其制造方法。纳米棒LED包括第一类型半导体层、氮化物发光层和第二类型半导体层，第一类型半导体层包括主体和从主体连续提供的金字塔形结构，氮化物发光层提供在金字塔形结构上，第二类型半导体层提供在氮化物发光层中。
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公开(公告)号：CN116207122A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210897402.0
申请日：2022-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种显示装置、一种增强现实设备、和一种制造显示装置的方法，该显示装置包括：第一半导体层，具有彼此相反的第一表面和第二表面；从第一表面突出的多个间隔物以及在所述多个间隔物之间的多个开口区域；多个有源层，与所述多个开口区域相反地提供在第一半导体层的第二表面上；多个第二半导体层，与第一半导体层相反地分别提供在所述多个有源层上；分隔膜，提供在所述多个有源层当中的两个相邻的有源层之间和在所述多个第二半导体层当中的两个相邻的第二半导体层之间；以及多个颜色转换层，提供在所述多个开口区域中在第一半导体层的第一表面上。
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