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公开(公告)号：CN116207122A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210897402.0
申请日：2022-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种显示装置、一种增强现实设备、和一种制造显示装置的方法，该显示装置包括：第一半导体层，具有彼此相反的第一表面和第二表面；从第一表面突出的多个间隔物以及在所述多个间隔物之间的多个开口区域；多个有源层，与所述多个开口区域相反地提供在第一半导体层的第二表面上；多个第二半导体层，与第一半导体层相反地分别提供在所述多个有源层上；分隔膜，提供在所述多个有源层当中的两个相邻的有源层之间和在所述多个第二半导体层当中的两个相邻的第二半导体层之间；以及多个颜色转换层，提供在所述多个开口区域中在第一半导体层的第一表面上。
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公开(公告)号：CN114388549A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110733691.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了微型发光显示装置和制造其的方法。该微型发光显示装置包括：第一半导体层；隔离结构，提供在第一半导体层上并配置为限定多个子像素，每个子像素配置为发光；第一发光单元，包括提供在所述多个子像素之中的第一子像素中的第一活性层和提供在第一活性层上的第二半导体层；以及第二发光单元，包括提供在所述多个子像素之中的第二子像素中的棒半导体层、提供在棒半导体层上的第二活性层和提供在第二活性层上的第三半导体层。第一活性层配置为发射蓝光，第二活性层配置为发射绿光。
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公开(公告)号：CN115528152A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210738705.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓发光器件、包括该氮化镓发光器件的显示装置以及该氮化镓发光器件的制造方法。该氮化镓发光器件可以是条型发光器件并且包括n‑GaN半导体层、与n‑GaN半导体层间隔开的p‑GaN半导体层、布置在n‑GaN半导体层和p‑GaN半导体层之间的有源层、以及包括铟簇和空隙的应变松弛层。
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公开(公告)号：CN1193407C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02125134.7
申请日：2002-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/302 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/67034 , B81C1/00928
Abstract: 提供一种利用离心力干燥晶片的防吸附方法和设备。此防吸附方法包括如下步骤：(a)使用蚀刻溶液除去叠置在晶片与微型结构间的牺牲层，(b)在漂洗溶液中漂洗蚀刻的微型结构和蚀刻的晶片达一预定时间，以致微型结构与晶片间的蚀刻溶液为漂洗溶液代替，(c)把漂洗过的晶片装在连接于一转动轴的一安装装置中并通过轴的转动除去留在晶片与微型结构间的漂洗溶液。晶片以铅直位置装在安装装置中，以致微型结构面向转动轴之外。因此，可以防止干燥过程中由MEMS工艺方法制成的微型结构与晶片间的吸附现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1440924A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02161111.4
申请日：2002-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2203/0307 , B81C2201/0109
Abstract: 本发明公开了一种微电子机械系统结构及其制造方法，该结构具有固定到衬底上的固定部分和连接到固定部分上并浮置在衬底上面的浮动部分，该方法包括：在衬底上沉积牺牲层；构图该牺牲层，形成围绕至少将要形成该固定部分的一部分的间隔；在牺牲层上沉积微电子机械系统结构层，在该间隔内形成侧壁，在该牺牲层上形成固定部分和浮动部分；以及，用蚀刻剂除去该牺牲层，其中蚀刻剂对固定部分相对应的那部分牺牲层的应用由侧壁阻隔开，由侧壁阻隔开的牺牲层没有被蚀刻剂除去。由于连接部分制为与固定部分和浮动部分具有相同的厚度，可以提供一种坚固/可靠的微电子机械系统结构。
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公开(公告)号：CN115513348A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210115723.0
申请日：2022-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种基板结构，其包括：基板；设置在基板上的缓冲层；设置在缓冲层上的多孔半导体层，该多孔半导体层具有多个空隙；设置在多孔半导体层上的多个半导体发光结构，所述多个半导体发光结构具有垂直延伸的纳米棒形状；以及设置在所述多个半导体发光结构中的每个的侧壁上的钝化膜，该钝化膜具有绝缘性质。
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公开(公告)号：CN1274581C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN02161111.4
申请日：2002-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2203/0307 , B81C2201/0109
Abstract: 本发明公开了一种微电子机械系统结构及其制造方法，该结构具有固定到衬底上的固定部分和连接到固定部分上并浮置在衬底上面的浮动部分，该方法包括：在衬底上沉积牺牲层；构图该牺牲层，形成围绕至少将要形成该固定部分的一部分的间隔；在牺牲层上沉积微电子机械系统结构层，在该间隔内形成侧壁，在该牺牲层上形成固定部分和浮动部分；以及，用蚀刻剂除去该牺牲层，其中蚀刻剂对固定部分相对应的那部分牺牲层的应用由侧壁阻隔开，由侧壁阻隔开的牺牲层没有被蚀刻剂除去。由于连接部分制为与固定部分和浮动部分具有相同的厚度，可以提供一种坚固/可靠的微电子机械系统结构。
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公开(公告)号：CN117790653A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311222202.6
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了发光器件、显示装置以及制造该发光器件的方法。一种发光器件包括：发光棒，其中多孔第一型半导体层、有源层和第二型半导体层依次布置；以及波长转变簇，嵌入在多孔第一型半导体层中并配置为将有源层中产生的第一光转变成具有不同波长的第二光。
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公开(公告)号：CN102998790A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210142509.0
申请日：2012-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: A61B5/0066 , A61B5/444 , G01B9/02063 , G01B9/02091 , G01B11/22 , G02B3/14 , G02B5/005 , G02B21/006 , G02B26/005 , G02B26/101
Abstract: 本发明提供了数值孔径（NA）控制单元、可变光学探测器以及深度扫描方法。该NA控制单元包括：孔径调节单元，控制光透射穿过的孔径；以及聚焦控制单元，设置在关于孔径调节单元的预定位置、聚焦透射穿过孔径的光并具有可调节的焦距。该可变光学探测器包括：光透射单元；准直器，将透射穿过光透射单元的光准直为平行光；NA控制单元，将光聚焦在要被检查的样品上；以及扫描器，改变透射穿过光透射单元的光的路径，使得样品的预定区域被经过NA控制单元的光来扫描。
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