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公开(公告)号：CN112687732B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
摘要： 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
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公开(公告)号：CN117476832A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310858488.0
申请日：2023-07-13
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本公开涉及一种发光结构、显示装置和显示装置的制造方法。该发光结构包括：基板；第一外延结构，设置在基板上；第二外延结构，设置在第一外延结构上；以及第三外延结构，设置在第二外延结构上。第一外延结构、第二外延结构和第三外延结构中的每个以依次堆叠结构包括第一导电性的第一半导体层、载流子阻挡层、有源层和第二导电性的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN118299479A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311633964.5
申请日：2023-12-01
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本公开提供了发光器件和包括该发光器件的显示装置。在一些实施方式中，一种发光器件包括配置为发射第一波长的光的第一发光元件、提供在第一发光元件上的PN结层、以及提供在PN结层上并配置为发射不同于第一波长的第二波长的光的第二发光元件。PN结层包括提供在第一发光元件上并掺有第一导电类型的杂质的第一导电类型半导体层、以及提供在第一导电类型半导体层上并掺有与第一导电类型电相反的第二导电类型的杂质的第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN116504898A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310079196.7
申请日：2023-01-18
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了纳米棒发光二极管(LED)、显示装置及其制造方法。纳米棒LED包括第一类型半导体层、氮化物发光层和第二类型半导体层，第一类型半导体层包括主体和从主体连续提供的金字塔形结构，氮化物发光层提供在金字塔形结构上，第二类型半导体层提供在氮化物发光层中。
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公开(公告)号：CN116207122A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210897402.0
申请日：2022-07-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供一种显示装置、一种增强现实设备、和一种制造显示装置的方法，该显示装置包括：第一半导体层，具有彼此相反的第一表面和第二表面；从第一表面突出的多个间隔物以及在所述多个间隔物之间的多个开口区域；多个有源层，与所述多个开口区域相反地提供在第一半导体层的第二表面上；多个第二半导体层，与第一半导体层相反地分别提供在所述多个有源层上；分隔膜，提供在所述多个有源层当中的两个相邻的有源层之间和在所述多个第二半导体层当中的两个相邻的第二半导体层之间；以及多个颜色转换层，提供在所述多个开口区域中在第一半导体层的第一表面上。
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公开(公告)号：CN112993028A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
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公开(公告)号：CN117497657A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310967137.3
申请日：2023-08-02
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本公开提供了发光器件、显示装置及其制造方法。发光器件包括：掺有n型掺杂剂并具有第一晶格常数的第一氮化物半导体层；提供在第一氮化物半导体层上并具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的有源层，该有源层包括包含铟的氮化物半导体材料；插置在第一氮化物半导体层和有源层之间并具有在第一晶格常数和第二晶格常数之间的第三晶格常数的应力松弛层，该应力松弛层包括包含铟的氮化物半导体材料；以及提供在有源层上并掺有p型掺杂剂的第二氮化物半导体层，其中有源层包括：提供在应力松弛层的上表面上的上有源区，以及提供在应力松弛层的侧表面上的侧有源区。
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公开(公告)号：CN117497656A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310265604.8
申请日：2023-03-14
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供一种发光器件以及包括该发光器件的显示器和电子设备。该发光器件包括基底半导体层、三维(3D)发光结构和形成为平坦形状的平坦发光结构，其中平坦发光结构产生具有与3D发光结构的波长不同的波长的光。缓和基底半导体层与平坦发光结构之间的晶格失配的应变缓和层可以在基底半导体层上布置在其中至少形成平坦发光结构的区域中。
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公开(公告)号：CN115528152A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210738705.8
申请日：2022-06-24
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供一种氮化镓发光器件、包括该氮化镓发光器件的显示装置以及该氮化镓发光器件的制造方法。该氮化镓发光器件可以是条型发光器件并且包括n‑GaN半导体层、与n‑GaN半导体层间隔开的p‑GaN半导体层、布置在n‑GaN半导体层和p‑GaN半导体层之间的有源层、以及包括铟簇和空隙的应变松弛层。
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公开(公告)号：CN118299481A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311854676.2
申请日：2023-12-29
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供一种氮化物基半导体发光器件和包括其的显示装置，该氮化物基半导体发光器件包括：第一半导体层，其中第一半导体层是氮化物基的并且具有第一导电类型；提供在第一半导体层上的发光层，其中发光层可以包括包含铟(In)的氮化物基半导体；提供在发光层上的第二半导体层，其中第二半导体层是氮化物基的并且具有第二导电类型；以及应变弛豫层，提供在第一半导体层和发光层之间，并且包括具有突起的AlGaN层，该突起的水平截面面积随着突起在从第二半导体层到第一半导体层的垂直方向上延伸而减小。
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