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公开(公告)号：CN112687732B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
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公开(公告)号：CN115346981A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210285504.7
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L21/8232 , H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体集成电路器件，包括：沟道层、势垒层、在势垒层上彼此间隔开的第一p型半导体层和第二p型半导体层；以及在第一p型半导体层和第二p型半导体层上的钝化层。钝化层可以使第一p型半导体层和第二p型半导体层中的至少一个的掺杂剂部分地失活。
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公开(公告)号：CN119316735A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410847826.5
申请日：2024-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种动态视觉传感器。所述动态视觉传感器包括：光电二极管，被配置为：响应于由于对象的移动引起的光的改变而生成第一光电二极管电流；第一晶体管；第一节点，连接到光电二极管和第一晶体管；第二节点，连接到第一晶体管并被配置为接收第一电压和接收第二电压；地；第二晶体管，连接到第一节点和地；第三节点，连接到第一晶体管和第二晶体管；以及电流源，连接到第三节点，其中，第一电压具有第一电平，并且第二电压具有与第一电平不同的第二电平。
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公开(公告)号：CN115207099A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111419130.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 提供了一种功率器件及制造该功率器件的方法。该功率器件可以包括沟道层、在沟道层的相应侧的源极和漏极、在沟道层上在源极和漏极之间的栅极、覆盖源极、漏极和栅极的钝化层、以及在钝化层中的多个场板。所述多个场板可以具有不同的厚度。所述多个场板可以具有不同的宽度、不同的图案形状、或者不同的宽度和不同的图案形状两者。
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公开(公告)号：CN112993028A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118943041A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410348471.5
申请日：2024-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴柾俊 , 高钟星 , 金大容 , 金东贤 , 金志洙 , 金平刚 , 朴基鸿 , 朴正濬 , 朴柱永 , 朴俊赫 , 宋镐石 , 安治昊 , 李供雨 , 李现英 , 郑周泳 , 黄政闵
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/20 , H01J37/32
Abstract: 提供了腔室内维护设备。所述腔室内维护设备可以包括：载物台模块，包括：载物台主体，在具有中空内部的腔室内；XY载物台，安装在载物台主体的上表面上并且在彼此垂直的X轴和Y轴方向上可移动；以及第一驱动部，被配置为驱动XY载物台；以及夹持器模块，包括：夹持器主体，结合到XY载物台的上表面；夹持部，通过夹持器主体支撑并且被配置为相对于与X轴和Y轴垂直的Z轴上下移动和旋转以插入中空内部；以及第二驱动部，被配置为驱动夹持部。
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公开(公告)号：CN118488333A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311375764.4
申请日：2023-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/707
Abstract: 公开了视觉传感器、由视觉传感器执行的方法以及图像处理装置。所述视觉传感器包括：存储器；像素阵列，包括多个像素，所述多个像素被配置为通过检测入射光的强度改变的事件来生成事件信号；以及事件检测电路，被配置为从像素阵列读取事件信号并且被配置为处理事件信号，其中，事件检测电路被配置为：将状态图存储在存储器中，状态图包括与所述多个像素中的每个的事件的存在对应的第一状态和与事件的不存在对应的第二状态；并且基于存储在存储器中的状态图校正选择的像素中发生的事件。
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公开(公告)号：CN118488326A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410173528.2
申请日：2024-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/47 , H04N25/707
Abstract: 提供了一种视觉传感器以及视觉传感器的操作方法。所述视觉传感器包括：像素阵列，包括多个像素，所述多个像素中的每个被配置为基于入射光的强度改变的事件生成事件信号；以及事件检测电路，包括状态寄存器，状态寄存器包括第一触发器和第二触发器。事件检测电路被配置为：基于事件信号，将第一数据存储在第一触发器中，第一数据指示在所述多个像素的每个中是否已经发生闪烁；将第二数据存储在第二触发器中，第二数据指示在所述多个像素中的每个中是否已经发生所述事件；并且基于第一数据与第二数据的比较，识别和删除第二数据的已经发生闪烁的部分。
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公开(公告)号：CN117714622A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310655906.6
申请日：2023-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/262 , H04N5/268 , G06T3/4084 , H04N25/70
Abstract: 提供图像信号处理装置、图像系统及其操作方法。所述操作方法包括：从外部图像传感器装置接收原始像素码，外部图像传感器装置包括图像像素；通过对原始像素码执行非线性映射来生成非线性像素码；以及输出通过对非线性像素码的位位置执行遮蔽操作而获得的缩小的像素码。原始像素码的幅值与入射到图像像素上的光的照度成线性，非线性像素码的幅值与原始像素码的幅值成非线性，并且非线性像素码具有第一码长度，并且缩小的像素码具有第二码长度，第二码长度小于第一码长度。
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公开(公告)号：CN112993028B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
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