发光器件和包括该发光器件的显示装置

    公开(公告)号:CN119698141A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202410681083.9

    申请日:2024-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种发光器件和包括其的显示装置,该发光器件包括:半导体发光结构,该半导体发光结构包括包含多个孔的第一半导体层、提供在第一半导体层上的发光层和提供在发光层上的第二半导体层;提供在所述多个孔中的多个量子点;以及至少部分地围绕半导体发光结构的侧壁的外部钝化层,其中所述多个量子点提供在所述多个孔和外部钝化层之间。

    显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN119170620A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202410794904.X

    申请日:2024-06-19

    Abstract: 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括:像素电极,被配置为向子像素供电;公共电极;有机透明基板;提供在有机透明基板上并电连接到像素电极的驱动层,该驱动层包括被配置为控制子像素的电源开关的驱动器件;以及提供在驱动层上并包括无机材料的发光单元,发光单元包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。

    纳米棒发光器件、制造其的方法和包括其的显示装置

    公开(公告)号:CN114447166A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202110817560.6

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 提供了纳米棒发光器件、制造其的方法和包括该纳米棒发光器件的显示装置。该纳米棒发光器件包括被掺杂为具有第一导电类型的第一半导体层、设置在第一半导体层上的发光层、以及设置在发光层上并被掺杂为具有与第一导电类型电相反的第二导电类型的第二半导体层,其中在第一半导体层的下表面和第二半导体层的上表面之间的距离在约2μm至约10μm的范围内,其中第二半导体层的上表面的直径和第一半导体层的下表面的直径之差是第二半导体层的上表面的直径的10%或更小。

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