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公开(公告)号：CN118299481A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311854676.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物基半导体发光器件和包括其的显示装置，该氮化物基半导体发光器件包括：第一半导体层，其中第一半导体层是氮化物基的并且具有第一导电类型；提供在第一半导体层上的发光层，其中发光层可以包括包含铟(In)的氮化物基半导体；提供在发光层上的第二半导体层，其中第二半导体层是氮化物基的并且具有第二导电类型；以及应变弛豫层，提供在第一半导体层和发光层之间，并且包括具有突起的AlGaN层，该突起的水平截面面积随着突起在从第二半导体层到第一半导体层的垂直方向上延伸而减小。
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公开(公告)号：CN117790653A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311222202.6
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了发光器件、显示装置以及制造该发光器件的方法。一种发光器件包括：发光棒，其中多孔第一型半导体层、有源层和第二型半导体层依次布置；以及波长转变簇，嵌入在多孔第一型半导体层中并配置为将有源层中产生的第一光转变成具有不同波长的第二光。
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公开(公告)号：CN116504898A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310079196.7
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了纳米棒发光二极管(LED)、显示装置及其制造方法。纳米棒LED包括第一类型半导体层、氮化物发光层和第二类型半导体层，第一类型半导体层包括主体和从主体连续提供的金字塔形结构，氮化物发光层提供在金字塔形结构上，第二类型半导体层提供在氮化物发光层中。
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公开(公告)号：CN116207122A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210897402.0
申请日：2022-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种显示装置、一种增强现实设备、和一种制造显示装置的方法，该显示装置包括：第一半导体层，具有彼此相反的第一表面和第二表面；从第一表面突出的多个间隔物以及在所述多个间隔物之间的多个开口区域；多个有源层，与所述多个开口区域相反地提供在第一半导体层的第二表面上；多个第二半导体层，与第一半导体层相反地分别提供在所述多个有源层上；分隔膜，提供在所述多个有源层当中的两个相邻的有源层之间和在所述多个第二半导体层当中的两个相邻的第二半导体层之间；以及多个颜色转换层，提供在所述多个开口区域中在第一半导体层的第一表面上。
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公开(公告)号：CN119698141A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410681083.9
申请日：2024-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10H20/813 , H10H20/812 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种发光器件和包括其的显示装置，该发光器件包括：半导体发光结构，该半导体发光结构包括包含多个孔的第一半导体层、提供在第一半导体层上的发光层和提供在发光层上的第二半导体层；提供在所述多个孔中的多个量子点；以及至少部分地围绕半导体发光结构的侧壁的外部钝化层，其中所述多个量子点提供在所述多个孔和外部钝化层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119744047A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411055214.9
申请日：2024-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10H20/819 , H10H20/821 , H10H20/812 , H10H20/01 , H10H29/30 , G09F9/33 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本公开提供了纳米棒发光器件、其制造方法以及显示装置。一种纳米棒发光器件包括n型半导体层、在n型半导体层上的有源层以及在有源层上的p型半导体层，n型半导体层包括芯棒、从芯棒在向外的方向上敞开的多个纳米孔以及分散在所述多个纳米孔中的多个量子点。
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公开(公告)号：CN119486402A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410888831.0
申请日：2024-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10H20/819 , H10H20/821 , H10H20/816 , H10H20/811 , H10H20/01 , H10H29/14 , G09F9/33 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种纳米棒发光器件、制造其的方法和包括其的显示装置。该纳米棒发光器件包括：支撑层；从支撑层的上表面突出并包括掺杂为第一导电类型的半导体材料的第一类型半导体纳米核心；掩模层，在支撑层的上表面上并在垂直方向上延伸到第一类型半导体纳米核心的第一高度，并与第一类型半导体纳米核心的表面相邻；发光层，具有多量子阱结构，与第一类型半导体纳米核心的在垂直方向上在第一高度之上的一部分相邻；以及第二类型半导体层，与发光层的表面相邻并且包括掺杂为第二导电类型的半导体材料。
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公开(公告)号：CN119170620A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410794904.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：像素电极，被配置为向子像素供电；公共电极；有机透明基板；提供在有机透明基板上并电连接到像素电极的驱动层，该驱动层包括被配置为控制子像素的电源开关的驱动器件；以及提供在驱动层上并包括无机材料的发光单元，发光单元包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。
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公开(公告)号：CN117476832A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310858488.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种发光结构、显示装置和显示装置的制造方法。该发光结构包括：基板；第一外延结构，设置在基板上；第二外延结构，设置在第一外延结构上；以及第三外延结构，设置在第二外延结构上。第一外延结构、第二外延结构和第三外延结构中的每个以依次堆叠结构包括第一导电性的第一半导体层、载流子阻挡层、有源层和第二导电性的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN114447166A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110817560.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了纳米棒发光器件、制造其的方法和包括该纳米棒发光器件的显示装置。该纳米棒发光器件包括被掺杂为具有第一导电类型的第一半导体层、设置在第一半导体层上的发光层、以及设置在发光层上并被掺杂为具有与第一导电类型电相反的第二导电类型的第二半导体层，其中在第一半导体层的下表面和第二半导体层的上表面之间的距离在约2μm至约10μm的范围内，其中第二半导体层的上表面的直径和第一半导体层的下表面的直径之差是第二半导体层的上表面的直径的10％或更小。
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