-
公开(公告)号：CN111092060B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN201911012951.X
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 提供一种半导体封装。半导体封装包括：下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及半导体芯片，设置在下结构上且包括下绝缘层及下焊盘。下绝缘层接触上绝缘层并耦合到上绝缘层，并且下焊盘接触上焊盘并耦合到上焊盘，且半导体芯片的旁侧在半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。
-
公开(公告)号：CN113889483A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110748426.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极和绝缘层，在基底上彼此间隔开，并且在与基底的上表面垂直的方向上交替地堆叠；以及沟道结构，延伸穿过堆叠结构。沟道结构中的一些沟道结构包括沟道绝缘层、位于沟道绝缘层上的垫层以及沟道层。沟道层包括第一沟道区和第二沟道区，第二沟道区具有比第一沟道区的长度短的长度并且包括具有第一导电类型的杂质的半导体材料，并且垫层包括掺杂有第二导电类型杂质的半导体材料。第二沟道区的下表面的高度水平等于或低于第一擦除栅电极的下表面的高度水平。
-
公开(公告)号：CN112447621A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010595487.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，在封装基底上；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的上表面上；绝缘层，在第一半导体芯片的表面和第二半导体芯片的表面上；散热构件，在绝缘层上，使得散热构件包括处于第一半导体芯片的上表面上的未设置第二半导体芯片的区域以及处于第二半导体芯片的上表面上的区域；模制构件，在封装基底上并且包封第一半导体芯片、第二半导体芯片和散热构件，使得模制构件暴露散热构件的上表面的至少一部分；以及加强构件，在散热构件和模制构件上。
-
公开(公告)号：CN117280678A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280030337.X
申请日：2022-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/02
Abstract: 根据某些实施例，一种电子装置包括：第一壳体；设置在所述第一壳体中的第一基板；第二壳体；设置在第二壳体中的第二基板；连接第一基板和第二基板的柔性印刷电路板(FPCB)；铰链模块，铰接地连接所述第一壳体和所述第二壳体；铰链盖，覆盖所述铰链模块，所述铰链盖具有形成于其中的麦克风孔；至少一个第一麦克风，设置在所述第一壳体中；扬声器，设置在第二壳体中；以及至少一个第二麦克风，设置在所述铰链模块中，并且被配置为通过形成在所述铰链盖中的所述麦克风孔收集外部声音，并且安装在从所述FPCB延伸的部分上。
-
公开(公告)号：CN113690213A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110211890.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L25/18
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，位于第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，位于第一半导体芯片和第一模制层上，并且围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112420628B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202010599860.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，设置在封装基底上；至少一个第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上；散热构件，设置在第一半导体芯片的上表面的另一区域和第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中，并且具有形成有至少一个沟槽的上表面；以及模制构件，覆盖第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装基底的上表面和散热构件的侧表面，并且填充所述至少一个沟槽并同时暴露散热构件的上表面。
-
公开(公告)号：CN111106092A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911012964.7
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/367 , H01L25/18 , H01L21/66 , H01L21/50
Abstract: 提供一种包括测试焊盘的半导体封装及其形成方法。所述半导体封装包括：基底，包括第一接合结构；以及第一半导体芯片，包括第二接合结构，第二接合结构耦合到基底的第一接合结构，其中所述第一接合结构包括：测试焊盘；第一焊盘，电连接到测试焊盘；以及第一绝缘层，其中所述第二接合结构包括：第二焊盘，电连接到第一焊盘；以及第二绝缘层，接触第一绝缘层，且其中所述测试焊盘的至少一部分接触第二绝缘层。
-
公开(公告)号：CN119364764A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410431957.5
申请日：2024-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括外围电路结构和堆叠在外围电路结构上的单元结构。单元结构包括：多个栅电极，在竖直方向上彼此间隔开；沟道结构，穿过所述多个栅电极并在竖直方向上延伸，沟道结构具有靠近外围电路结构的第一端和与第一端相对的第二端；以及共源极层，覆盖沟道结构的第二端。沟道结构包括在竖直方向上延伸的沟道层，共源极层包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域包含不同导电类型的杂质，并且共源极层的第一区域连接到沟道层的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN112447621B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202010595487.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，在封装基底上；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的上表面上；绝缘层，在第一半导体芯片的表面和第二半导体芯片的表面上；散热构件，在绝缘层上，使得散热构件包括处于第一半导体芯片的上表面上的未设置第二半导体芯片的区域以及处于第二半导体芯片的上表面上的区域；模制构件，在封装基底上并且包封第一半导体芯片、第二半导体芯片和散热构件，使得模制构件暴露散热构件的上表面的至少一部分；以及加强构件，在散热构件和模制构件上。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.02 seconds)
