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公开(公告)号：CN112420628B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202010599860.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，设置在封装基底上；至少一个第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上；散热构件，设置在第一半导体芯片的上表面的另一区域和第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中，并且具有形成有至少一个沟槽的上表面；以及模制构件，覆盖第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装基底的上表面和散热构件的侧表面，并且填充所述至少一个沟槽并同时暴露散热构件的上表面。
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公开(公告)号：CN101364579A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810133973.7
申请日：2008-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/18 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法和包括该半导体封装的系统。在一个实施例中，半导体封装包括第一绝缘体以及具有第一有源表面和与第一有源表面相对的第一后表面的第一半导体芯片。第一半导体芯片置于第一绝缘体内。第一绝缘体暴露第一有源表面。第一绝缘体基本环绕第一后表面。半导体封装包括在第一绝缘体内并与第一半导体芯片的侧部相邻的柱。
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公开(公告)号：CN112447621A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010595487.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，在封装基底上；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的上表面上；绝缘层，在第一半导体芯片的表面和第二半导体芯片的表面上；散热构件，在绝缘层上，使得散热构件包括处于第一半导体芯片的上表面上的未设置第二半导体芯片的区域以及处于第二半导体芯片的上表面上的区域；模制构件，在封装基底上并且包封第一半导体芯片、第二半导体芯片和散热构件，使得模制构件暴露散热构件的上表面的至少一部分；以及加强构件，在散热构件和模制构件上。
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公开(公告)号：CN101369561A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810129775.3
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/12105 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/3436 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片封装件、电子装置及其制造方法。所述半导体芯片封装件包括：半导体芯片，包括具有键合焊盘的第一表面、面向第一表面的第二表面和侧壁；模制延伸部分，围绕半导体芯片的第二表面和侧壁；再分布图案，从键合焊盘延伸到模制延伸部分上，并电连接到键合焊盘；凸点焊球，位于再分布图案上；模制层，被构造为覆盖半导体芯片的第一表面和模制延伸部分，同时暴露每个凸点焊球的一部分。模制层在彼此相邻的凸点焊球之间具有凹月牙表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112447621B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202010595487.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，在封装基底上；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的上表面上；绝缘层，在第一半导体芯片的表面和第二半导体芯片的表面上；散热构件，在绝缘层上，使得散热构件包括处于第一半导体芯片的上表面上的未设置第二半导体芯片的区域以及处于第二半导体芯片的上表面上的区域；模制构件，在封装基底上并且包封第一半导体芯片、第二半导体芯片和散热构件，使得模制构件暴露散热构件的上表面的至少一部分；以及加强构件，在散热构件和模制构件上。
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公开(公告)号：CN112420628A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010599860.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，设置在封装基底上；至少一个第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上；散热构件，设置在第一半导体芯片的上表面的另一区域和第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中，并且具有形成有至少一个沟槽的上表面；以及模制构件，覆盖第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装基底的上表面和散热构件的侧表面，并且填充所述至少一个沟槽并同时暴露散热构件的上表面。
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公开(公告)号：CN108091615A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711163518.7
申请日：2017-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/13101 , H01L2224/16225 , H01L2224/214 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L23/3107 , H01L25/18
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括第一基底；半导体芯片，设置在第一基底上；模制层，覆盖半导体芯片的侧面并且包括通孔；第二基底，设置在半导体芯片上；连接端子，设置在第一基底与第二基底之间并且设置在通孔中；以及底部填充树脂层，从半导体芯片与第二基底之间延伸到通孔中。
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公开(公告)号：CN101364579B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200810133973.7
申请日：2008-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/18 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法和包括该半导体封装的系统。在一个实施例中，半导体封装包括第一绝缘体以及具有第一有源表面和与第一有源表面相对的第一后表面的第一半导体芯片。第一半导体芯片置于第一绝缘体内。第一绝缘体暴露第一有源表面。第一绝缘体基本环绕第一后表面。半导体封装包括在第一绝缘体内并与第一半导体芯片的侧部相邻的柱。
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