公开(公告)号：CN115799191A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210729053.1

申请日：2022-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕官 ,  金承焕 ,  金埩周 ,  金钟完 ,  朴埈祐

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：封装基底；中介体，包括下保护层；导电连接器，将封装基底连接到中介体；半导体芯片，布置在封装基底与中介体之间；以及冷却片，布置在半导体芯片与中介体之间，并且具有圆柱形状；其中，冷却片中的每个包括与导电连接器中的每个相同的材料，冷却片中的每个的高度小于或者等于冷却片中的每个的直径，并且冷却片中的每个的热导率比下保护层的热导率大。

公开(公告)号：CN116031166A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211184904.5

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承焕 ,  高炅焕 ,  金埩周 ,  金钟完 ,  朴埈祐 ,  白亨吉 ,  李镕官 ,  张童柱 ,  全泰俊

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法可以包括：提供衬底，所述衬底具有分别沿着所述衬底的彼此相对的第一侧部和第二侧部设置的第一切割区域和第二切割区域，以及位于第一切割区域和第二切割区域之间的安装区域；在安装区域上设置至少一个半导体芯片；在衬底上形成模制构件；以及从模制构件去除虚设流道部分的至少一部分和虚设卷边部分。模制构件可以包括密封部分、设置在衬底的第二侧部外侧的虚设卷边部分以及在第二切割区域上连接密封部分和虚设卷边部分的多个虚设流道部分。衬底可以包括位于第二切割区域中的粘附力减小焊盘，所述粘附力减小焊盘可以分别接触虚设流道部分。

公开(公告)号：CN108091615A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711163518.7

申请日：2017-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑灿憙 ,  金贤基 ,  朴埈祐 ,  张炳旭 ,  金宣澈 ,  朴寿珉 ,  金坪完 ,  姜仁九 ,  金希烈

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/3107 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括第一基底；半导体芯片，设置在第一基底上；模制层，覆盖半导体芯片的侧面并且包括通孔；第二基底，设置在半导体芯片上；连接端子，设置在第一基底与第二基底之间并且设置在通孔中；以及底部填充树脂层，从半导体芯片与第二基底之间延伸到通孔中。

公开(公告)号：CN117116897A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310552682.6

申请日：2023-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣澈 ,  朴埈祐 ,  白亨吉 ,  李镕官 ,  李周炯

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/24

Abstract: 一种半导体封装，包括：下衬底；半导体芯片，设置在下衬底上；上衬底，设置在半导体芯片上，具有面向半导体芯片的下表面，并且包括设置在下表面下方的阶梯结构；连接结构，设置在半导体芯片周围，并且将下衬底连接到上衬底；以及密封物，填充下衬底和上衬底之间的空间，并且将半导体芯片和连接结构中的每一个的至少一部分密封。该上衬底的下表面具有第一表面部和第二表面部，第一表面部上设置有阶梯结构，第二表面部具有相对于阶梯结构的下表面的阶梯，并且第二表面部在上衬底的相对边缘之间延伸。

公开(公告)号：CN108091615B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201711163518.7

申请日：2017-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑灿憙 ,  金贤基 ,  朴埈祐 ,  张炳旭 ,  金宣澈 ,  朴寿珉 ,  金坪完 ,  姜仁九 ,  金希烈

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/18

公开(公告)号：CN116053243A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211283754.3

申请日：2022-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴埈祐 ,  金祥洙 ,  金承焕 ,  金正柱 ,  李镕官

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装包括：封装衬底，该封装衬底包括具有再分布层的基础衬底、设置在基础衬底的第一表面和第二表面上并连接到再分布层的焊盘、以及具有安装区域的保护层，在该安装区域中，分别暴露焊盘中的第一焊盘的第一开口以及暴露焊盘中的第二焊盘和第二表面的一部分的第二开口设置在第二表面上；半导体芯片，设置在安装区域上并通过第一开口和第二开口连接到焊盘；以及密封材料，覆盖半导体芯片的一部分并延伸到第二开口中。第一开口中的四个第一开口分别与安装区域的各个拐角相邻设置。第二开口被设置为将这四个第一开口分成至少两组。

公开(公告)号：CN115346929A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210139668.9

申请日：2022-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕官 ,  金承焕 ,  金埩周 ,  金钟完 ,  金贤基 ,  朴埈祐 ,  白亨吉 ,  李贞雅 ,  全泰俊

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装，包括：封装基板，具有从封装基板的上表面延伸到封装基板的下表面的连通孔；半导体芯片，附接到封装基板的上表面；辅助芯片，附接到封装基板的下表面；外部连接端子，附接到封装基板的下表面且与辅助芯片间隔开；以及密封件，密封半导体芯片和辅助芯片并填充连通孔。