-
公开(公告)号:CN110739281B
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN201910658593.3
申请日:2019-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L25/065 , H10B80/00
Abstract: 公开了一种半导体封装,包括:封装衬底;封装衬底上的第一半导体芯片,该第一半导体芯片包括第一区域和第二区域;第一区域上的第二半导体芯片;第二区域上的热辐射间隔物;第三半导体芯片,由第二半导体芯片和热辐射间隔物支撑;以及模塑层,覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。
-
公开(公告)号:CN116264166A
公开(公告)日:2023-06-16
申请号:CN202211140501.0
申请日:2022-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种制造半导体封装的方法,包括:估计焊球附接工艺中的误差、基于估计的误差来确定球工具的规格和焊球附接工艺的方法、基于焊球附接工艺的方法,根据确定的球工具的规格来制造球工具、以及基于焊球附接工艺的方法来执行焊球附接工艺。确定球工具的规格和焊球附接工艺的方法包括:确定球工具中的多个保持器的数量以及多个保持器中的每一个的位置和宽度、确定基板的多个工作区的数量以及多个工作区中的每一个的位置和宽度、以及将基板划分为多个工作区。
-
公开(公告)号:CN110739281A
公开(公告)日:2020-01-31
申请号:CN201910658593.3
申请日:2019-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 公开了一种半导体封装,包括:封装衬底;封装衬底上的第一半导体芯片,该第一半导体芯片包括第一区域和第二区域;第一区域上的第二半导体芯片;第二区域上的热辐射间隔物;第三半导体芯片,由第二半导体芯片和热辐射间隔物支撑;以及模塑层,覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。
-
公开(公告)号:CN108091615A
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201711163518.7
申请日:2017-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/13101 , H01L2224/16225 , H01L2224/214 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L23/3107 , H01L25/18
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括第一基底;半导体芯片,设置在第一基底上;模制层,覆盖半导体芯片的侧面并且包括通孔;第二基底,设置在半导体芯片上;连接端子,设置在第一基底与第二基底之间并且设置在通孔中;以及底部填充树脂层,从半导体芯片与第二基底之间延伸到通孔中。
-
公开(公告)号:CN114639666A
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN202111118348.7
申请日:2021-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 可以提供一种半导体封装,包括:第一封装基板;位于第一封装基板上的第一半导体芯片;位于第一封装基板上且与第一半导体芯片横向间隔开的第一导电连接器;位于第一半导体芯片上且通过第一导电连接器电连接至第一封装基板的中介层基板,该中介层基板包括与第一半导体芯片重叠的第一部分和位于第一部分中的多个上导电焊盘;位于中介层基板的第一部分的下表面上且定位成在平面图中不与多个上导电焊盘重叠的多个间隔物;以及位于中介层基板和第一封装基板之间的绝缘填充物。
-
公开(公告)号:CN1652314A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN200510006237.1
申请日:2005-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/01013
Abstract: 本发明涉及引线框架、半导体芯片封装和制造该半导体芯片封装的方法。其中半导体芯片封装具有:引线框架,其具有沿该引线框架的四边形成的多条引线、以及自该四边中的每一边的边缘延伸的连接条,其中该连接条的底表面是凹陷的;半导体芯片,其粘接在该连接条的凹陷表面上;连接器,其将该半导体芯片的上表面上形成的多个芯片焊盘与该多条引线电连接;以及密封剂,其将该半导体芯片的该上表面、该连接器和该连接器的键合部分封闭。
-
公开(公告)号:CN110797311A
公开(公告)日:2020-02-14
申请号:CN201910216950.0
申请日:2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体封装件包括:封装件衬底;至少一个半导体芯片,其安装在封装件衬底上;以及模制构件,其围绕所述至少一个半导体芯片。模制构件包括填料。填料中的每一个包括芯和围绕芯的涂层。芯包括非电磁材料,并且涂层包括电磁材料。模制构件包括分别具有填料的不同分布的区域。
-
公开(公告)号:CN110299354A
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:CN201910046513.9
申请日:2019-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/552
Abstract: 半导体封装包括:封装基板;下半导体芯片,在封装基板上;散热构件,在下半导体芯片上,所述散热构件具有水平单元和与水平单元相连的竖直单元;第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠,在水平单元上;以及模制构件,其围绕所述下半导体芯片、第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠以及散热构件。竖直单元可以布置在第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠之间,并且竖直单元的上表面可以在模制构件中暴露。
-
公开(公告)号:CN106409776A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610616161.2
申请日:2016-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/488 , H01L23/10 , H05K3/34
Abstract: 提供了一种印刷电路板(PCB)、一种制造该PCB的方法以及一种通过使用该PCB制造半导体封装件的方法,其中,该PCB可以在模塑工艺期间阻挡杂质的引入以减小对半导体封装件的损坏。实施例包括一种PCB,其包括:基板主体,包括有效区域和位于有效区域的外部上的虚设区域,基板主体沿第一方向纵向延伸;多个半导体单元,安装在有效区域上;阻挡件,形成在虚设区域上,其中,阻挡件沿第一方向延伸。
-
公开(公告)号:CN110797321B
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN201910695471.1
申请日:2019-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装件,包括:第一基板,设置在第一基板上的第二基板,设置在第一基板和第二基板之间的半导体芯片,在第一基板和第二基板之间延伸并与半导体芯片间隔开的焊料结构,以及设置在半导体芯片和第二基板之间的凸块。焊料结构将第一基板和第二基板电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-