制造半导体封装的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116264166A

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202211140501.0

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 公开了一种制造半导体封装的方法,包括:估计焊球附接工艺中的误差、基于估计的误差来确定球工具的规格和焊球附接工艺的方法、基于焊球附接工艺的方法,根据确定的球工具的规格来制造球工具、以及基于焊球附接工艺的方法来执行焊球附接工艺。确定球工具的规格和焊球附接工艺的方法包括:确定球工具中的多个保持器的数量以及多个保持器中的每一个的位置和宽度、确定基板的多个工作区的数量以及多个工作区中的每一个的位置和宽度、以及将基板划分为多个工作区。

    半导体封装
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110739281A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910658593.3

    申请日:2019-07-19

    Abstract: 公开了一种半导体封装,包括:封装衬底;封装衬底上的第一半导体芯片,该第一半导体芯片包括第一区域和第二区域;第一区域上的第二半导体芯片;第二区域上的热辐射间隔物;第三半导体芯片,由第二半导体芯片和热辐射间隔物支撑;以及模塑层,覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。

    中介层和包括中介层的半导体封装

    公开(公告)号:CN114639666A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202111118348.7

    申请日:2021-09-23

    Abstract: 可以提供一种半导体封装,包括:第一封装基板;位于第一封装基板上的第一半导体芯片;位于第一封装基板上且与第一半导体芯片横向间隔开的第一导电连接器;位于第一半导体芯片上且通过第一导电连接器电连接至第一封装基板的中介层基板,该中介层基板包括与第一半导体芯片重叠的第一部分和位于第一部分中的多个上导电焊盘;位于中介层基板的第一部分的下表面上且定位成在平面图中不与多个上导电焊盘重叠的多个间隔物;以及位于中介层基板和第一封装基板之间的绝缘填充物。

    半导体封装
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110299354A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910046513.9

    申请日:2019-01-17

    Abstract: 半导体封装包括:封装基板;下半导体芯片,在封装基板上;散热构件,在下半导体芯片上,所述散热构件具有水平单元和与水平单元相连的竖直单元;第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠,在水平单元上;以及模制构件,其围绕所述下半导体芯片、第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠以及散热构件。竖直单元可以布置在第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠之间,并且竖直单元的上表面可以在模制构件中暴露。

    半导体封装件
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110797321B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN201910695471.1

    申请日:2019-07-30

    Abstract: 一种半导体封装件,包括:第一基板,设置在第一基板上的第二基板,设置在第一基板和第二基板之间的半导体芯片,在第一基板和第二基板之间延伸并与半导体芯片间隔开的焊料结构,以及设置在半导体芯片和第二基板之间的凸块。焊料结构将第一基板和第二基板电连接。

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