半导体存储器装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118139415A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202311601446.5

    申请日:2023-11-28

    Abstract: 一种半导体存储器装置,包括:衬底,其包括单元阵列区域和延伸区域;模制结构,其包括顺序地堆叠在衬底的单元阵列区域上并且以阶梯形状堆叠在衬底的延伸区域上的多个栅电极、以及与多个栅电极交替地堆叠的多个模制绝缘膜;多个沟道结构,其位于衬底的单元阵列区域上,其中,多个沟道结构中的每一个延伸穿过模制结构并且与多个栅电极交叉;多个单元接触件,其位于衬底的延伸区域上并且分别连接到多个栅电极;第一层间绝缘膜,其位于模制结构上,以便覆盖多个沟道结构和多个单元接触件。

    半导体装置
    6.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119364764A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202410431957.5

    申请日:2024-04-11

    Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括外围电路结构和堆叠在外围电路结构上的单元结构。单元结构包括:多个栅电极,在竖直方向上彼此间隔开;沟道结构,穿过所述多个栅电极并在竖直方向上延伸,沟道结构具有靠近外围电路结构的第一端和与第一端相对的第二端;以及共源极层,覆盖沟道结构的第二端。沟道结构包括在竖直方向上延伸的沟道层,共源极层包括第一区域和第二区域,第一区域和第二区域包含不同导电类型的杂质,并且共源极层的第一区域连接到沟道层的至少一部分。

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