公开(公告)号：CN113314482A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202011294467.3

申请日：2020-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋炫俊 ,  吴恩洁 ,  姜亨汶 ,  高廷旼

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件可以包括封装基底、半导体芯片、信号凸块以及第一散热凸块和第二散热凸块。半导体芯片可以堆叠在封装基底的上表面上，具有呈不同的散热效率的第一区域和第二区域。第二温度可以比第一温度高。信号凸块可以布置在半导体芯片之间。第一散热凸块可以以第一节距布置在第一区域中的半导体芯片之间。第二散热凸块可以以比第一节距窄的第二节距布置在第二区域中的半导体芯片之间。从半导体芯片的第二区域产生的热可以通过可以彼此相对紧密地布置的第二散热凸块消散。

公开(公告)号：CN113078124A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110011435.6

申请日：2021-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜亨汶 ,  高廷旼 ,  白承德 ,  金兑炯 ,  申仁夑

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体封装包括：基板；堆叠在基板上的多个半导体器件；多个底部填充圆角，设置在所述多个半导体器件之间以及在基板和所述多个半导体器件之间；以及围绕所述多个半导体器件的模制树脂。底部填充圆角中的至少一个从模制树脂的侧表面暴露。

公开(公告)号：CN112802800A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202010862440.3

申请日：2020-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高廷旼 ,  姜亨汶 ,  朴商植 ,  宋炫俊

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装件包括：缓冲件；芯片堆叠件，所述芯片堆叠件安装在所述缓冲件上；粘合剂层，所述粘合剂层设置在所述缓冲件与所述芯片堆叠件之间；以及模塑材料，所述模塑材料围绕所述芯片堆叠件。所述缓冲件包括相邻于所述缓冲件的多个边缘设置的多个沟槽。每个所述沟槽比所述缓冲件的芯片区域的相应的相邻边缘短。

公开(公告)号：CN113314482B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202011294467.3

申请日：2020-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋炫俊 ,  吴恩洁 ,  姜亨汶 ,  高廷旼

IPC: H01L23/367 ,  H10B80/00 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件可以包括封装基底、半导体芯片、信号凸块以及第一散热凸块和第二散热凸块。半导体芯片可以堆叠在封装基底的上表面上，具有呈不同的散热效率的第一区域和第二区域。第二温度可以比第一温度高。信号凸块可以布置在半导体芯片之间。第一散热凸块可以以第一节距布置在第一区域中的半导体芯片之间。第二散热凸块可以以比第一节距窄的第二节距布置在第二区域中的半导体芯片之间。从半导体芯片的第二区域产生的热可以通过可以彼此相对紧密地布置的第二散热凸块消散。