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公开(公告)号：CN118016624A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310902661.2
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片、第一半导体芯片上的下粘合层、下粘合层上的第二半导体芯片、第二半导体芯片上的上粘合层、以及上粘合层上的第三半导体芯片。下粘合层包括与下粘合层的顶表面连接的第一切割表面。上粘合层与下粘合层的第一切割表面接触。
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