公开(公告)号：CN118016624A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202310902661.2

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣教 ,  姜芸炳 ,  朴商植 ,  李翰旻 ,  郑胜允

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片、第一半导体芯片上的下粘合层、下粘合层上的第二半导体芯片、第二半导体芯片上的上粘合层、以及上粘合层上的第三半导体芯片。下粘合层包括与下粘合层的顶表面连接的第一切割表面。上粘合层与下粘合层的第一切割表面接触。

公开(公告)号：CN119495647A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410686165.2

申请日：2024-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宣教 ,  金珉秀 ,  朴商植

IPC: H01L23/31 ,  H10B80/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体管芯；在第一半导体管芯的上表面上的第一底部填充层；在第一底部填充层上的第二底部填充层；提供在第二底部填充层上的第二半导体管芯；以及在第二半导体管芯的侧表面、第二底部填充层的侧表面和第一半导体管芯的上表面上的模层。第一半导体管芯包括第一基板、在第一基板上的第一再分布图案、提供在第一再分布图案上的第一再分布电介质层、以及在第一再分布电介质层上并沿着第一基板的边缘的第一坝，第一底部填充层接触第一坝的侧表面。

公开(公告)号：CN113851439A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202110705509.6

申请日：2021-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴商植 ,  姜芸炳 ,  金宣教 ,  全俊镐

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一堆叠件；多个TSV，其穿过第一堆叠件；第二堆叠件，其位于第一堆叠件上，并且包括面对第一堆叠件的第一表面的第二表面；第一焊盘，其位于第一堆叠件上，并且与TSV接触；第二焊盘，其位于第二堆叠件上；凸块，其连接第一焊盘和第二焊盘；第一冗余焊盘，其位于第一堆叠件的第一表面上，与第一焊盘间隔开，并且不与TSV接触；第二冗余焊盘，其位于第二堆叠件的第二表面上，并且与第二焊盘间隔开；以及冗余凸块，其连接第一冗余焊盘和第二冗余焊盘，其中，第一焊盘和第一冗余焊盘彼此电连接，并且第二焊盘和第二冗余焊盘彼此电连接。