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公开(公告)号：CN119300432A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411378111.6
申请日：2024-09-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 一种基于拓展导电沟道的常关型碳化硅高压JFET器件及制备方法，器件包括在N型衬底上生长P型外延与N型漂移区，在N型漂移区内有P型埋层，第一，第二P型阱掺杂区，第一N型阱掺杂区，第一与第二N型高掺杂区，第一与第二P型高掺杂区，在第二P型高掺杂区内有氧化层与辅助反型金属，在N型漂移区上方设有氧化层介质，刻蚀氧化层介质引出源、漏、栅金属电极。制备方法包括获取衬底，衬底上生长外延层，外延层上生长漂移区，高能离子注入形成P型埋层，在漂移区中进行离子注入形成不同类型掺杂阱与高掺杂，在第二P型阱掺杂区刻蚀生长氧化层淀积反型辅助金属电极并构成拓展导电结构，生长层间介质，刻蚀，淀积金属形成源、漏、栅电极。
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公开(公告)号：CN119133229A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411293152.5
申请日：2024-09-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，包括：衬底，由第一缓冲层、第一沟道层、第一异质结沟道、第一势垒层、第一金属源电极、第一金属漏电极、第一金属栅电极构成的低测区，由第二缓冲层、第二沟道层、第二异质结沟道、第二势垒层、第二金属源电极、第二金属漏电极、第二金属栅电极构成的高测区，由绝缘介质层和导热介质层构成的沟槽区；本发明通过沟槽区将器件体内的热量导出，能够提高器件的散热性能。
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公开(公告)号：CN114785123B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210144249.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于恒定导通时间COT控制的锁频控制系统及方法，通过在不同的Vout和Vin下改变Ton，就可以实现不同功况下稳态的定频。主要应用但不局限于Buck变换器，应用范围包括所有恒定导通时间控制，例如CMCOT控制，IQCOT控制以及V2控制。本方法不需要增加额外的采样电路，通过数字控制器每个时钟周期迭代运算实现非定频控制算法的稳态定频，实现了输出电压AVP窗口值的精确设计，确保输出电压的精度。
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公开(公告)号：CN114567190B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210199567.0
申请日：2022-03-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于同步整流控制器的相位补偿方法，包括：针对一典型同步整流控制电路，设置一采样回路，所述该采样回路包括：直流电压源VCC、补偿电阻Rc、二极管D1、补偿电感Lc；通过调整所述补偿电感Lc和所述补偿电阻Rc的时常数，使得其等于该典型同步整流控制电路中的寄生电感Ls和RDS的时常数，用以消除超前相位，其中，RDS为同步整流功率管的导通电阻。本发明提出的方法可以结合集成电路的设计，使得流过补偿电感的电流很小，对电感的要求不高，普通的贴片电感即可。
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公开(公告)号：CN118137837A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410267196.4
申请日：2024-03-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于Buck变换器的自适应变频电路，包括功率级模块、误差信号产生模块、PWM比较模块和载波调节模块。功率级模块用于实现Buck变换器的主要功能，负责将直流输入电压Vin转换为所需幅值的稳定的直流输出电压Vout。误差信号产生模块通过比较采样电压与基准电压的差值，生成误差电压，并进一步处理误差电压以调节PWM信号的占空比。PWM比较模块将误差信号产生模块生成的误差电压与载波调节模块产生的锯齿波信号进行比较，生成控制MOS管导通或关断的PWM信号。载波调节模块接收和处理滤波器的输出AP和误差电压err，并通过有限状态机调节载波信号r。当检测到滤波器输出AP和误差电压err超出设定阈值时，决定系统的状态。在稳态下，输出频率和峰值固定的载波信号；在暂态下，载波信号的频率和峰值会响应输入信号的变化而动态调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118100649A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410273376.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于多相Buck电路的高动态控制方法，包括以下步骤：误差信号err由参考电压信号Vref减去多相Buck电路连接到负载上的输出电压信号Vo得到，并输入到稳态通路和瞬态通路中；稳态通路采用PID控制，输出稳态控制信号Vc；ViL为电感电流采样信号，利用电感电流无法突变的原理生成；将电感电流信号ViL与误差信号err作为瞬态通路的输入；首先，ViL经过线性带通滤波器BP filter进行处理，输出高频段信号ViL_HP；误差信号err与带通滤波器输出信号ViL_HP相减，得到瞬态输出控制信号V1作为瞬态通路的输出；最后，将瞬态输出控制信号V1与PID控制的输出稳态控制信号Vc相加得到补偿环路的总输出信号Vd；再使用补偿环路的总输出信号Vd得到PWM信号控制开关管导通或截止。本发明采用定频PWM控制，并通过引入一个瞬态通路与稳态通路共同组成控制环路，旨在改善开关电源对大负载跳变量和高负载跳变速率的瞬态响应。
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公开(公告)号：CN114157147B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111439240.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度的自激式降压变换器辅助电源电路。该辅助电源包括：降压主回路(1)、复位驱动电路(2)、限流保护电路(3)、稳压电路(4)；其中，降压主回路(1)的输入端接限流保护电路(3)，降压主回路(1)的输出端接稳压电路(4)，稳压电路(4)的输出端即输出电压(Vout)接负载(Load)，限流保护电路(3)的输入端接输入电压(Vin2)；复位驱动电路(2)的一端接限流保护电路(3)，另一端接输出电压(Vout)。本发明解决了现有自激式降压变换器功率密度低、接受输入电压不够宽泛、工作频率不够高、输出纹波高、噪声高的问题，同时也实现了过压保护和过流保护以及自适应软启动的功能。
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公开(公告)号：CN116388577A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310371814.5
申请日：2023-04-10
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明是一种适用于谐振栅极驱动电路的自适应负载优化方法，优化在不同MOSFET负载下的开关损耗、导通损耗和栅极驱动损耗；在数字信号处理芯片(DSP)中预先存储好一份数据表格，表格中有实际测试中的不同负载电流下总体损耗较低时所对应的谐振栅极驱动器电压和预充电时间；在实际应用中数模转换器端(DAC)采样到负载电流后，取与表格中最接近的负载电流值，使能数字信号处理芯片(DSP)进行查表工作，得到优化后的栅极驱动电路电压和预充电时间。解决了现有自适应负载优化方案存在的忽视功率MOSFET导通损耗、驱动电路损耗过大的技术问题。
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公开(公告)号：CN116388569A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310373219.5
申请日：2023-04-10
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种开关电源的数字积分模式恒定导通时间控制系统及方法，系统包括：通过DIMCOT控制模块在负载变化瞬态中输出的脉冲信号控制PWM产生模块的PWM波形由第一电平状态变为第二电平状态，根据第二电平状态触发恒定导通时间产生模块的计数器开始计数，并在计数值达到预设值时，生成重置信号，使得PWM产生模块的PWM波形由第二电平状态变为第一电平状态，从而得到预设占空比的方波信号，进而控制开关电源的开启或断开，实现开关电源的恒定导通时间。由此，通过在负载变化瞬态中改变开关周期来快速增大PWM占空比，没有线性控制中的惯性环节，减小了系统延时，具有更快的瞬态响应、更高的轻负载效率以及更灵活的控制策略。
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公开(公告)号：CN115360231A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211039857.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备工艺，晶体管包括：位于器件底部的集电极，在集电极之上设有集电区，集电区包括交替排布的P+集电区和N+短路区，在集电区上方设有N型场截止层，场截止层之上设有N‑型漂移区，在漂移区上表面设有按一维阵列排布的沟槽，沟槽内设有栅氧化层和多晶硅栅极，栅氧化层位于多晶硅栅极与沟槽内壁之间，在漂移区上方设有P型体区，P型体区位于相邻两个沟槽之间，且与沟槽侧壁接触；在P型体区之上设有N+发射区和P+型接触区，接触区上连接有发射极，发射极两侧设有绝缘介质层，其特征在于，在场截止层与集电区之间设有N‑高阻区。制备工艺特征在于，场截止层由背面氢注形成，背面结构均采用激光退火工艺。
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