公开(公告)号：CN114864687A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210643562.2

申请日：2022-06-08

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 李胜 ,  刘梦丽 ,  张弛 ,  马岩锋 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。

公开(公告)号：CN114864687B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202210643562.2

申请日：2022-06-08

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 李胜 ,  刘梦丽 ,  张弛 ,  马岩锋 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。

公开(公告)号：CN118798104B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310701433.9

申请日：2023-06-13

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李胜 ,  马岩锋 ,  何乃龙 ,  刘斯扬 ,  刘梦丽 ,  张森 ,  肖魁 ,  林峰 ,  孙伟锋

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。

公开(公告)号：CN118798104A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310701433.9

申请日：2023-06-13

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李胜 ,  马岩锋 ,  何乃龙 ,  刘斯扬 ,  刘梦丽 ,  张森 ,  肖魁 ,  林峰 ,  孙伟锋

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。