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公开(公告)号：CN115117154A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
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公开(公告)号：CN114740325A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210315142.1
申请日：2022-03-28
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电级电流随时间的变化率作为结温的参考，从而进行异质结半导体器件工作热稳定状态下热阻阻值的计算。其中，可以通过调控可控负载模块，使电路在正常工作模式和测量模式两种状态下切换。正常工作模式用于使待测器件处于热稳定的工作状态；测量模式用于提取待测器件漏电级电流变化率以进行热阻的计算。
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公开(公告)号：CN114740325B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210315142.1
申请日：2022-03-28
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电极电流随时间的变化率作为结温的参考，从而进行异质结半导体器件工作热稳定状态下热阻阻值的计算。其中，可以通过调控可控负载模块，使电路在正常工作模式和测量模式两种状态下切换。正常工作模式用于使待测器件处于热稳定的工作状态；测量模式用于提取待测器件漏电极电流变化率以进行热阻的计算。
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公开(公告)号：CN114864687A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210643562.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。
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公开(公告)号：CN115117154B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114864687B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210643562.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。
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公开(公告)号：CN110729346B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910937475.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件，包括：第一金属电极,位于第一金属电极上依次设有重掺杂第一导电类型导电层和轻掺杂第一导电类型导电层，所述轻掺杂第一导电类型导电层内设有深沟槽结构，在所述深沟槽结构槽底设有第二导电类型区，在所述轻掺杂第一导电类型导电层上表面设有上设有第二金属电极，在深沟槽结构之间及其外侧设有电子导电沟道结构，所述深沟槽结构及电子导电沟道结构相互平行且间隔相等，本发明通过在深沟槽结构之间增设电子导电沟道结构，有效的增加了正向导通电流密度，降低了导通电阻，减小了器件的功率损耗，同时由于深沟槽结构外壁设有的氮化铝镓，可以有效的提升临界击穿电压。
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公开(公告)号：CN113327923A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110598471.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种静电泄放自保护的异质结半导体器件，包括：缓冲层、沟道层、异质结沟道、势垒层；势垒层上表面设有金属漏电极、金属源电极；金属漏电极与金属源电极之间且接近金属源电极间隔设有由第一p型半导体层、第一n型半导体层、第二p型半导体层交替组成的栅保护区以及由第三p型半导体层与金属栅电极层叠构成的栅控制区；栅保护区a与栅控制区b之间通过高阻介质层隔离；栅保护区提供ESD电流泄放通道保护栅极免受瞬时大电流的冲击。本发明相比传统的外部ESD保护电路具有集成度高、占用面积小、寄生电容小等优点。
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公开(公告)号：CN112563317A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910919577.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件，包括：氮化镓基底；阴极；多个氮化镓凸起结构，设于所述氮化镓基底上、阴极之间，相邻的氮化镓凸起结构之间形成凹槽；电子迁移层，覆盖各所述氮化镓凸起结构的顶部和侧面；氮化镓层，设于所述电子迁移层上并填充各所述凹槽；所述电子迁移层用于在被设置的位置形成导电沟道区，所述导电沟道区的电子迁移率高于所述氮化镓层的电子迁移率；多个第二导电类型区，每个第二导电类型区从所述氮化镓层的顶部向下伸入一所述凹槽，各所述氮化镓凸起结构的顶部均高于各所述第二导电类型区的底部；阳极，设于所述氮化镓层和各所述第二导电类型区上。本发明能够在保证器件耐压能力的前提下降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN111972126A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010935007.8
申请日：2020-09-08
Applicant: 东南大学
IPC: A01D46/247 , A01D46/22 , A23N15/00 , B07B1/04
Abstract: 本发明公开了一种简易的水果采摘分级器，涉及水果采摘工具领域。本发明包括采摘袋和采摘剪，采摘剪的侧端设置有手持杆，手持杆靠近端部的位置分别固定有采摘剪按钮和拉板按钮，采摘剪按钮和拉板按钮均连接有控制器，控制器均和采摘剪、拉板连接。采摘剪剪下的水果落入采摘袋内，采摘袋内设置有分级板，分级板将采摘袋分隔成一级分级袋和二级分级袋，一级分级袋和二级分级袋的出料口均设置有不同的通道，通过拉板的拉动作用便于使得不同大小的水果从不同的通道实现收集，操作方便；本发明结构简单，操作方便，整个结构有利于水果的采摘和分级分拣，大大地提高了水果的采摘和流通效率，降低了水果的损坏率。
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