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公开(公告)号：CN110729346A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910937475.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件，包括：第一金属电极,位于第一金属电极上依次设有重掺杂第一导电类型导电层和轻掺杂第一导电类型导电层，所述轻掺杂第一导电类型导电层内设有深沟槽结构，在所述深沟槽结构槽底设有第二导电类型区，在所述轻掺杂第一导电类型导电层上表面设有上设有第二金属电极，在深沟槽结构之间及其外侧设有电子导电沟道结构，所述深沟槽结构及电子导电沟道结构相互平行且间隔相等，本发明通过在深沟槽结构之间增设电子导电沟道结构，有效的增加了正向导通电流密度，降低了导通电阻，减小了器件的功率损耗，同时由于深沟槽结构外壁设有的氮化铝镓，可以有效的提升临界击穿电压。
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公开(公告)号：CN112563317B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910919577.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件，包括：氮化镓基底；阴极；多个氮化镓凸起结构，设于所述氮化镓基底上、阴极之间，相邻的氮化镓凸起结构之间形成凹槽；电子迁移层，覆盖各所述氮化镓凸起结构的顶部和侧面；氮化镓层，设于所述电子迁移层上并填充各所述凹槽；所述电子迁移层用于在被设置的位置形成导电沟道区，所述导电沟道区的电子迁移率高于所述氮化镓层的电子迁移率；多个第二导电类型区，每个第二导电类型区从所述氮化镓层的顶部向下伸入一所述凹槽，各所述氮化镓凸起结构的顶部均高于各所述第二导电类型区的底部；阳极，设于所述氮化镓层和各所述第二导电类型区上。本发明能够在保证器件耐压能力的前提下降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN110729346B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201910937475.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件，包括：第一金属电极,位于第一金属电极上依次设有重掺杂第一导电类型导电层和轻掺杂第一导电类型导电层，所述轻掺杂第一导电类型导电层内设有深沟槽结构，在所述深沟槽结构槽底设有第二导电类型区，在所述轻掺杂第一导电类型导电层上表面设有上设有第二金属电极，在深沟槽结构之间及其外侧设有电子导电沟道结构，所述深沟槽结构及电子导电沟道结构相互平行且间隔相等，本发明通过在深沟槽结构之间增设电子导电沟道结构，有效的增加了正向导通电流密度，降低了导通电阻，减小了器件的功率损耗，同时由于深沟槽结构外壁设有的氮化铝镓，可以有效的提升临界击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112563317A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910919577.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件，包括：氮化镓基底；阴极；多个氮化镓凸起结构，设于所述氮化镓基底上、阴极之间，相邻的氮化镓凸起结构之间形成凹槽；电子迁移层，覆盖各所述氮化镓凸起结构的顶部和侧面；氮化镓层，设于所述电子迁移层上并填充各所述凹槽；所述电子迁移层用于在被设置的位置形成导电沟道区，所述导电沟道区的电子迁移率高于所述氮化镓层的电子迁移率；多个第二导电类型区，每个第二导电类型区从所述氮化镓层的顶部向下伸入一所述凹槽，各所述氮化镓凸起结构的顶部均高于各所述第二导电类型区的底部；阳极，设于所述氮化镓层和各所述第二导电类型区上。本发明能够在保证器件耐压能力的前提下降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN108735349B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810392409.0
申请日：2018-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种含离子液体的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法及应用。所述制备方法是通过物理方法将离子液体掺入聚酰胺酸形成混合均相溶液，并将其旋涂在银纳米线薄膜上，然后经热亚胺化反应得到含离子液体的银纳米线透明导电薄膜。该方法得到的透明导电薄膜具有高的透光率、高的导电性和超强的柔韧性，可广泛应用于柔性显示器、柔性触摸屏、柔性有机发光二极管和可展开式太阳能电池阵列层。本发明制备方法简单易行，易于进行大规模生产，具有很高的实际应用价值，能够满足商业化的需求。
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公开(公告)号：CN110047910B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910240465.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种高耐压能力的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底上设有第一沟道层，第二沟道层，金属漏极和第二金属源极，在第二沟道层上设有第二势垒层并形成第二沟道，第二势垒层中设有栅极且栅极采用凹槽栅结构，所述凹槽栅结构嵌入第二势垒层中并由栅介质和位于栅介质中的栅极金属构成，在第二沟道层内设有隔离层并将第二沟道层分隔成上层和下层，在第二沟道层的下层与第一沟道层之间设有第一势垒层并形成第一沟道，金属漏极的底面与第一势垒层的底面平齐，在第二金属源极与所述第一沟道层之间设有第一金属源极，第一沟道可以通过多电流沟道的形式位于第二沟道的垂直正下方，可以降低反向导通压降，提高器件整体的击穿电压。
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公开(公告)号：CN110047910A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910240465.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种高耐压能力的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底上设有第一沟道层，第二沟道层，金属漏极和第二金属源极，在第二沟道层上设有第二势垒层并形成第二沟道，第二势垒层中设有栅极且栅极采用凹槽栅结构，所述凹槽栅结构嵌入第二势垒层中并由栅介质和位于栅介质中的栅极金属构成，在第二沟道层内设有隔离层并将第二沟道层分隔成上层和下层，在第二沟道层的下层与第一沟道层之间设有第一势垒层并形成第一沟道，金属漏极的底面与第一势垒层的底面平齐，在第二金属源极与所述第一沟道层之间设有第一金属源极，第一沟道可以通过多电流沟道的形式位于第二沟道的垂直正下方，可以降低反向导通压降，提高器件整体的击穿电压。
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公开(公告)号：CN108735349A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810392409.0
申请日：2018-04-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种含离子液体的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法及应用。所述制备方法是通过物理方法将离子液体掺入聚酰胺酸形成混合均相溶液，并将其旋涂在银纳米线薄膜上，然后经热亚胺化反应得到含离子液体的银纳米线透明导电薄膜。该方法得到的透明导电薄膜具有高的透光率、高的导电性和超强的柔韧性，可广泛应用于柔性显示器、柔性触摸屏、柔性有机发光二极管和可展开式太阳能电池阵列层。本发明制备方法简单易行，易于进行大规模生产，具有很高的实际应用价值，能够满足商业化的需求。
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