公开(公告)号：CN119315976A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411383990.1

申请日：2024-09-30

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  王浩然 ,  郑逸飞 ,  李博宇 ,  董千恒 ,  王瑞安 ,  时龙兴

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本发明公开了一种提升氮化镓半桥功率芯片可靠性的电平移位电路，包括脉冲产生电路、电平转换支路、噪声消除电路、负VS容差提升电路、锁存模块；噪声消除电路可以有效抑制dVS/dt噪声的影响，负VS容差提升电路可以提升电路对VS负电压的容差，保证输入信号可以准确地传入锁存模块进行输出，提高氮化镓半桥功率芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN118054782A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410236265.5

申请日：2024-03-01

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 董千恒 ,  郑逸飞 ,  林纪栋 ,  王瑞安 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明公开了一种提升高压栅驱动芯片抗噪能力的电平移位电路，属于功率集成电路领域，当高压域电源轨迅速上升时，反馈控制模块检测到信号传输通路中存在共模噪声，输出反馈信号控制电平移位支路的负载阻抗减小，从而降低噪声的幅度与影响时间，再经过后级滤波电路滤除剩余噪声便可以保证噪声不会造成高压域电路逻辑功能紊乱，并且由于动态负载结构和反馈控制模块的作用，噪声影响时间将会被大大缩短，噪声再经过后级滤波电路，可以完全被滤除，因此允许的输入信号最小脉宽可以被有效降低且大大降低信号传输延时。

公开(公告)号：CN118012198A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410147891.7

申请日：2024-02-01

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 郑逸飞 ,  袁伟民 ,  董千恒 ,  李博宇 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种宽电源电压范围的氮化镓稳压电路，属于稳压电路领域，包括：电源VCC、地GND、偏置单元和输出单元。本发明采用增强型氮化镓HEMT实现的宽电源电压范围的稳压电路，能够为芯片内部电路模块提供稳定电源电压。

公开(公告)号：CN118041251A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410086498.1

申请日：2024-01-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 郑逸飞 ,  刘子枫 ,  董千恒 ,  林纪栋 ,  杜雨琪 ,  祝靖 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/26 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明公开一种可变增益高共模抑制的高速TIA和高速光接收机电路，属于基本电子电路的技术领域。高速TIA为峰值型电流放大器和可变增益跨阻放大器组成的两级电路结构，峰值型电流放大器包括：第一开环电流放大器、第二开环电流放大器、第一反馈电路、第二反馈电路、峰值放大器，可变增益跨阻放大器包括：全差分结构的跨阻放大器、第一可变增益控制模块、第二可变增益控制模块，全差分结构的跨阻放大器具有更好的共模噪声抑制能力，并通过峰值放大器将目标信号所在频率的增益提升，进一步提高光接收机共模噪声抑制能力。高速光接收机在TIA的基础上增加迟滞比较器和辅助下拉模块，加快状态转换速度，降低传输延时。

公开(公告)号：CN117595792A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311652583.1

申请日：2023-12-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  应宇涛 ,  郑逸飞 ,  袁伟民 ,  董千恒 ,  时龙兴

IPC: H03B5/04 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明公开一种采用氮化镓全集成工艺的低温漂、高调频线性度振荡器，包括主振荡器模块、预充电调节模块、温度漂移抑制模块、输出级模块，用于解决传统振荡器因氮化镓工艺集成电路的高控制延时导致的低精度问题，突破氮化镓全集成工艺缺少P型晶体管的设计局限，减小温度对振荡器频率影响，减小控制电路延时对振荡器调频线性度的影响。

公开(公告)号：CN119766225A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411833259.4

申请日：2024-12-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  郑逸飞 ,  王闻逸 ,  宋明宇 ,  董千恒 ,  钱钦松 ,  时龙兴

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/003 ,  H03K19/01

Abstract: 本发明公开了一种采用氮化镓全集成工艺基于高压电容的电平移位电路，包括抗噪电平转换单元、噪声钳位单元、高速锁存单元、复位单元；抗噪电平转换单元能够实现低侧输入信号到高侧输出信号的转换，而且其对称结构能够有效抑制共模噪声；噪声钳位单元功能是有效抑制dVS/dt噪声对电路影响以及钳位关键节点电压防止击穿；高速锁存单元功能是将输入脉冲信号快速还原为电平信号；复位单元的功能是产生脉冲信号打开开关管帮助关键节点泄放电荷；上述整体电路能较好解决传统电平移位电路在电路功耗与传输延时的折衷问题、电平移位电路延迟随VS变化以及受dVS/dt噪声影响失效的问题。

公开(公告)号：CN118399942A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410479818.X

申请日：2024-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨松涛 ,  任锦涛 ,  郑逸飞 ,  董千恒 ,  时龙兴

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/16

Abstract: 本发明提供一种用于高边开关芯片的输出级电路和反极性保护电路，其中，输出级电路包括：主功率管、驱动电路、第一钳位保护电路以及反极性保护电路。反极性保护电路包括：第一反极性保护电路，连接在电源端和接地端之间，用于检测电源端和接地端之间的供电电压，并根据供电电压产生控制信号；第二反极性保护电路，分别与电源端、接地端和芯片输出端相连接，用于检测电源端和接地端之间的供电电压，并根据供电电压提供电源端到芯片输出端之间的低阻路径。本发明在检测到电源端和接地端之间的供电电压为负电压时，控制主功率管导通以减少反极性时的功耗和发热，并且能够有效抑制由于n型衬底驱动电路的寄生三极管开启而导致的反极性保护失效。