公开(公告)号：CN119315976A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411383990.1

申请日：2024-09-30

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  王浩然 ,  郑逸飞 ,  李博宇 ,  董千恒 ,  王瑞安 ,  时龙兴

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本发明公开了一种提升氮化镓半桥功率芯片可靠性的电平移位电路，包括脉冲产生电路、电平转换支路、噪声消除电路、负VS容差提升电路、锁存模块；噪声消除电路可以有效抑制dVS/dt噪声的影响，负VS容差提升电路可以提升电路对VS负电压的容差，保证输入信号可以准确地传入锁存模块进行输出，提高氮化镓半桥功率芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN118054782A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410236265.5

申请日：2024-03-01

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 董千恒 ,  郑逸飞 ,  林纪栋 ,  王瑞安 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明公开了一种提升高压栅驱动芯片抗噪能力的电平移位电路，属于功率集成电路领域，当高压域电源轨迅速上升时，反馈控制模块检测到信号传输通路中存在共模噪声，输出反馈信号控制电平移位支路的负载阻抗减小，从而降低噪声的幅度与影响时间，再经过后级滤波电路滤除剩余噪声便可以保证噪声不会造成高压域电路逻辑功能紊乱，并且由于动态负载结构和反馈控制模块的作用，噪声影响时间将会被大大缩短，噪声再经过后级滤波电路，可以完全被滤除，因此允许的输入信号最小脉宽可以被有效降低且大大降低信号传输延时。