公开(公告)号：CN103518154A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201180070419.9

申请日：2011-04-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 谷田笃志

IPC: G02B26/10

CPC classification number: G02B26/10 ,  G02B26/0866

Abstract: 本发明的反射镜装置具有一面具有反射镜的镜部以从两面夹持的方式进行支撑梁部，并通过扭转驱动该梁部来使所述镜部以规定的共振频率摆动，所述反射镜的特征在于，所述梁部的表面上设有因加热而变形的热变形材料，所述梁部的弹性常数通过所述热变形材料的加热变形而被调整，以使所述镜部以所述规定的共振频率摆动。

公开(公告)号：CN102870201B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201080066417.8

申请日：2010-11-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 谷田笃志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/32 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种制造方法，其为半导体装置的制造方法，并包括朝向半导体基板的有效区域照射光的工序，所述光的波长为，当所述光的强度增高时半导体基板的光吸收率将增高的波长，在所述工序中，以在半导体基板的内部形成焦点的方式照射光。能够在所述光的焦点的位置处形成结晶缺陷，而在焦点以外的位置（激光的强度较低的位置）处几乎不会形成结晶缺陷。因此，根据该技术，能够对在目标深度以外的深度处形成结晶缺陷的情况进行抑制，且在目标深度处形成结晶缺陷。因此，与现有的技术相比能够使结晶缺陷更加自由地分布。

公开(公告)号：CN104756250B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201280076651.8

申请日：2012-11-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 浅井林太郎 ,  谷田笃志

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/10 ,  H01L21/52 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/335 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本说明书涉及以树脂模塑半导体元件且该半导体元件与在模塑表面露出的引线框架接合的半导体装置。本说明书提供一种即使疲劳劣化发展而在接合材料产生裂缝，也能够减少裂缝对半导体元件造成的影响的技术。半导体装置(2)具备晶体管(3)、引线框架(8a、8b)、在一个面通过第一接合材料(5)与晶体管(3)接合并且在另一个面通过第二接合材料(6)与引线框架(8b)接合的金属隔离物(4)、以及树脂模塑体(13)。树脂模塑体(13)对晶体管(3)和金属隔离物(4)进行密封。引线框架(8a、8b)的一面与树脂模塑体(13)密接。第二接合材料(6)被选定为其强度比第一接合材料(5)的强度低的材料。

公开(公告)号：CN104756250A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201280076651.8

申请日：2012-11-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 浅井林太郎 ,  谷田笃志

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/10 ,  H01L21/52 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/335 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本说明书涉及以树脂模塑半导体元件且该半导体元件与在模塑表面露出的引线框架接合的半导体装置。本说明书提供一种即使疲劳劣化发展而在接合材料产生裂缝，也能够减少裂缝对半导体元件造成的影响的技术。半导体装置(2)具备晶体管(3)、引线框架(8a、8b)、在一个面通过第一接合材料(5)与晶体管(3)接合并且在另一个面通过第二接合材料(6)与引线框架(8b)接合的金属隔离物(4)、以及树脂模塑体(13)。树脂模塑体(13)对晶体管(3)和金属隔离物(4)进行密封。引线框架(8a、8b)的一面与树脂模塑体(13)密接。第二接合材料(6)被选定为其强度比第一接合材料(5)的强度低的材料。

公开(公告)号：CN102870201A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201080066417.8

申请日：2010-11-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 谷田笃志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/32 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种制造方法，其为半导体装置的制造方法，并包括朝向半导体基板的有效区域照射光的工序，所述光的波长为，当所述光的强度增高时半导体基板的光吸收率将增高的波长，在所述工序中，以在半导体基板的内部形成焦点的方式照射光。能够在所述光的焦点的位置处形成结晶缺陷，而在焦点以外的位置（激光的强度较低的位置）处几乎不会形成结晶缺陷。因此，根据该技术，能够对在目标深度以外的深度处形成结晶缺陷的情况进行抑制，且在目标深度处形成结晶缺陷。因此，与现有的技术相比能够使结晶缺陷更加自由地分布。