发明公开
- 专利标题: 用于永久接合晶片的方法
- 专利标题(英): Method for permanently bonding wafer
-
申请号: CN201510911760.2申请日: 2011-01-25
-
公开(公告)号: CN105374667A公开(公告)日: 2016-03-02
- 发明人: T.普拉赫 , K.欣格尔 , M.温普林格 , C.弗勒特根
- 申请人: EV集团E·索尔纳有限责任公司
- 申请人地址: 奥地利圣弗洛里安
- 专利权人: EV集团E·索尔纳有限责任公司
- 当前专利权人: EV集团E·索尔纳有限责任公司
- 当前专利权人地址: 奥地利圣弗洛里安
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 石克虎
- 分案原申请号: 2011800659649 2011.01.25
- 主分类号: H01L21/18
- IPC分类号: H01L21/18 ; H01L21/20
摘要:
本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地,本发明揭示一种将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法,该方法包含以下步骤,尤其包含以下顺序:-在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5),-利用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5),-使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接,-在第一与第二接触表面(3、4)之间形成永久接合,通过使第一起始物与第二基板的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化该永久接合。
公开/授权文献
- CN105374667B 用于永久接合晶片的方法 公开/授权日:2019-01-11
IPC分类: