公开(公告)号：CN105321903B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201410844501.8

申请日：2014-12-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 何承颖 ,  林政贤 ,  许文义 ,  洪丰基 ,  杨敦年 ,  蔡映麟

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供了一种集成电路结构，其包括第一和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一衬底和位于第一衬底下面的多个第一介电层。第二半导体芯片包括第二衬底和位于第二衬底上方的多个第二介电层，其中多个第一介电层和多个第二介电层彼此接合。金属焊盘位于多个第二介电层中。重分布线位于第一衬底的上方。导电插塞电连接至重分布线。导电插塞包括从第一衬底的顶面延伸至第一衬底的底面的第一部分和从第一衬底的底面延伸至金属焊盘的第二部分。第二部分的底面接触金属焊盘的顶面。本发明涉及具有重分布线的堆叠集成电路。

公开(公告)号：CN105321903A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410844501.8

申请日：2014-12-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 何承颖 ,  林政贤 ,  许文义 ,  洪丰基 ,  杨敦年 ,  蔡映麟

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/02 ,  H01L24/04 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/2405 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821

摘要： 本发明提供了一种集成电路结构，其包括第一和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一衬底和位于第一衬底下面的多个第一介电层。第二半导体芯片包括第二衬底和位于第二衬底上方的多个第二介电层，其中多个第一介电层和多个第二介电层彼此接合。金属焊盘位于多个第二介电层中。重分布线位于第一衬底的上方。导电插塞电连接至重分布线。导电插塞包括从第一衬底的顶面延伸至第一衬底的底面的第一部分和从第一衬底的底面延伸至金属焊盘的第二部分。第二部分的底面接触金属焊盘的顶面。本发明涉及具有重分布线的堆叠集成电路。