公开(公告)号：CN118260588A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311222256.2

申请日：2023-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成熙 ,  金奎焕 ,  金旻奎 ,  金俸奭 ,  金泳锡 ,  马阿米 ,  朴真国 ,  张圭伯 ,  郑载勋

IPC: G06F18/214 ,  G06F18/23 ,  G06N20/00 ,  G06N3/04

Abstract: 提供了一种提供人工智能(AI)算法的方法、AI算法的操作方法、电子设备、记录介质和计算机程序。提供AI算法的方法包括：加载关于半导体的光谱和半导体的结构的数据集；计算关于半导体的光谱的分布外(OOD)指数；通过将数据集聚类采样到关于根据半导体的OOD指数的至少一个学习数据集中来执行数据拆分；以及提供在已经学习了至少一个学习数据集的多种AI算法当中的最优AI算法。

公开(公告)号：CN113818009A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110653245.4

申请日：2021-06-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  仁川大学教产学协力团

Inventor： 赵恩亨 ,  H.李 ,  李成熙 ,  李政烨 ,  C.T.阮

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供了通过使用原子层沉积(ALD)方法来填充间隙的方法和设备以及通过该方法实现的器件。该方法包括通过将反应抑制剂吸附到间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层、通过将第一反应物吸附到间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上而形成第一前体层、以及在间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上形成第一原子层。反应抑制剂包括不与第二反应物反应的前体材料。第一反应抑制层可以具有其中反应抑制剂的密度朝向间隙的底部减小的密度梯度。形成第一原子层包括将第二反应物吸附到第一前体层上。

公开(公告)号：CN112071764A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010847533.9

申请日：2015-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 周建模 ,  文彰烈 ,  李成熙 ,  黄俊式

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/14 ,  H01L25/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/58 ,  H01L21/98 ,  H01S5/022 ,  H01L33/32 ,  H01L23/488 ,  H01L33/62

Abstract: 本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片，半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构，第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分，接合结构包括银‑锡(Ag‑Sn)化合物和镍‑锡(Ni‑Sn)化合物。

公开(公告)号：CN117420077A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310826022.2

申请日：2023-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奎焕 ,  金载润 ,  卢弦均 ,  马阿米 ,  李成熙 ,  张圭伯 ,  全优宁 ,  郑载勳

IPC: G01N21/25 ,  G01N21/84 ,  G06F30/27 ,  G06F18/2135 ,  G06F18/214 ,  G06N20/00

Abstract: 公开了用于基于光谱测量结构的方法和系统。所述用于基于光谱测量所述结构的方法包括：获得第一模型，第一模型包括第一子模型和在第一子模型之后的第二子模型并且基于仿真数据被训练；生成第二模型，第二模型包括与第一子模型相同的第三子模型；基于通过测量样本结构的光谱而生成的样本光谱数据，来训练第二模型；以及基于训练后的第二模型，从通过测量所述结构的光谱而生成的测量光谱数据估计所述结构。

公开(公告)号：CN105374776A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510161903.2

申请日：2015-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 周建模 ,  文彰烈 ,  李成熙 ,  黄俊式

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片，半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构，第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分，接合结构包括银-锡(Ag-Sn)化合物和镍-锡(Ni-Sn)化合物。

公开(公告)号：CN103811079A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310560306.8

申请日：2013-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金致浩 ,  夏志良 ,  李成熙 ,  金那罗 ,  金大新

IPC: G11C29/50

CPC classification number: G11C29/50016 ,  G11C11/40 ,  G11C29/50 ,  G11C29/56

Abstract: 公开了半导体器件的测试方法和半导体测试装置。该测试方法包括：提供半导体器件，该半导体器件具有包括有源区和隔离区的衬底、包括在有源区上的栅极绝缘层和栅极、在有源区中的结区、和连接到结区的电容器的易失性器件存储单元、以及在隔离区上的穿过栅极；向栅极提供第一测试电压并且向穿过栅极提供大于第一测试电压的第二测试电压以恶化栅极绝缘层的界面缺陷；以及测量易失性器件存储单元的保持特性。

公开(公告)号：CN101355325B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200810086978.9

申请日：2008-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李华善 ,  李成熙 ,  林承模 ,  郑喜文

IPC: H02N2/00 ,  G02B7/04 ,  G03B5/00

CPC classification number: G02B27/646 ,  G03B5/00 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/314 ,  H04N5/23248 ,  H04N5/23287 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明公开了一种致动装置及其制造方法以及使用其的模块位移调节装置。该致动装置包括：可变形的膜；壁，形成在所述膜上以限定空穴；杆，形成在所述空穴中，并且位于所述膜的表面上，在相对于空穴中心的一侧，以与所述膜的变形相关联地运动；致动单元，形成在所述膜的下表面上，以被压电地驱动，从而使膜变形。所述致动装置被应用于小型化的电子装置，可以适当地对功能模块进行致动。

公开(公告)号：CN1520100A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310123778.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成熙

IPC: H04L12/24

CPC classification number: H04W52/0216 ,  H04W84/18 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/22

Abstract: 提供一种减少功率消耗的装置和方法，其中该装置包括周期性运行状态转换单元，可将非运行状态转换为运行状态；信标帧接收单元，在运行状态下可接收信标帧；唤醒窗口设定单元，用于设定唤醒窗口；唤醒窗口区间计数单元，用于对唤醒窗口中的区间值进行计数；和非运行状态转换单元，用于将唤醒窗口转换为非运行状态。根据本发明，只有在窗口区间内才需要保持运行状态，从而可以在非运行区间内减少功率消耗。此外，ATIM窗口被替换为唤醒窗口，从而被认为是网络开销的ATIM消息和该消息的应答帧被去除，也就是说，网络开销被去除。

公开(公告)号：CN113818007A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110191386.9

申请日：2021-02-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  仁川大学教产学协力团

Inventor： 赵恩亨 ,  H.李 ,  李成熙 ,  李政烨 ,  C.T.阮

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积填充间隙的方法和设备。该方法包括通过将反应抑制剂吸附到间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层、通过将第一反应物吸附到间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上而形成第一前体层、以及在间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上形成第一原子层。反应抑制剂包括不与第二反应物反应的前体材料。第一反应抑制层具有其中反应抑制剂的密度朝向间隙的底部减小的密度梯度。形成第一原子层包括将第二反应物吸附到第一前体层上。

公开(公告)号：CN101930316A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010200349.1

申请日：2010-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林成泽 ,  李成熙

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/041 ,  G06F3/016 ,  G09B21/004

Abstract: 本发明提供一种触摸板和电子设备。该触摸板包括：第一基底；第二基底，通过间隙与第一基底分开，并且包括接触表面；驱动电极，形成在第一基底和第二基底中的每个之上；和布置在该间隙中的电流变液体。当在驱动电极之间施加驱动电压时，由于在按钮区域的电流变液体的粘性的改变而引起按钮区域被划界。当由于施加到按钮区域的接触表面的按压力引起间隙的厚度被减少到等于或小于门限的值时，该驱动电压被切断。