公开(公告)号：CN113818007A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110191386.9

申请日：2021-02-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  仁川大学教产学协力团

Inventor： 赵恩亨 ,  H.李 ,  李成熙 ,  李政烨 ,  C.T.阮

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积填充间隙的方法和设备。该方法包括通过将反应抑制剂吸附到间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层、通过将第一反应物吸附到间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上而形成第一前体层、以及在间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上形成第一原子层。反应抑制剂包括不与第二反应物反应的前体材料。第一反应抑制层具有其中反应抑制剂的密度朝向间隙的底部减小的密度梯度。形成第一原子层包括将第二反应物吸附到第一前体层上。

公开(公告)号：CN113818009A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110653245.4

申请日：2021-06-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  仁川大学教产学协力团

Inventor： 赵恩亨 ,  H.李 ,  李成熙 ,  李政烨 ,  C.T.阮

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供了通过使用原子层沉积(ALD)方法来填充间隙的方法和设备以及通过该方法实现的器件。该方法包括通过将反应抑制剂吸附到间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层、通过将第一反应物吸附到间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上而形成第一前体层、以及在间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上形成第一原子层。反应抑制剂包括不与第二反应物反应的前体材料。第一反应抑制层可以具有其中反应抑制剂的密度朝向间隙的底部减小的密度梯度。形成第一原子层包括将第二反应物吸附到第一前体层上。