公开(公告)号：CN111199973A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201910811306.8

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  金志永 ,  金奉秀 ,  卢弦均 ,  郑文泳

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了半导体器件。该半导体器件包括：第一衬底；有源区域，其由第一衬底中的隔离膜限定；氧化物半导体层，其在有源区域中的第一衬底上并且不包括硅；凹陷，其在氧化物半导体层内部；以及栅极结构，其填充凹陷，包括栅电极以及在栅电极上的封盖膜，并且具有与有源区域的上表面在同一平面上的上表面。

公开(公告)号：CN120030971A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411473732.2

申请日：2024-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔翰林 ,  卢弦均 ,  金昇昱 ,  孙秀沇 ,  郑载勋 ,  崔允智

IPC: G06F30/39 ,  G06N20/00 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供对半导体工艺进行建模的方法和系统。所述方法包括：基于定义子工艺步骤和测量步骤的输入数据获得测量值；基于测量步骤，将子工艺步骤分组为分别与多个模块对应；以及基于分组的子工艺步骤和测量值，训练机器学习模型以预测半导体装置中的至少一个特性。机器学习模型包括第一子模型和第二子模型，第一子模型被配置为基于所述多个模块输出特征值，第二子模型被配置为基于所述特征值输出表示与所述多个模块中的每个模块对应的估计值和半导体装置的所述至少一个特性的输出值。

公开(公告)号：CN112418431A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010842150.2

申请日：2020-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑椙旭 ,  明相勋 ,  许仁 ,  卢弦均 ,  朴民哲 ,  张铉在

IPC: G06N20/00 ,  G06K9/62 ,  G06F30/27

Abstract: 一种用于包括机器学习模型和基于规则的模型的混合模型的方法，包括通过向基于规则的模型提供第一输入从基于规则的模型中获得第一输出，以及通过将第一输入、第二输入和获得的第一输出提供给机器学习模型从机器学习模型中获得第二输出。所述方法还包括基于获得的第二输出的误差来训练机器学习模型。

公开(公告)号：CN117420077A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310826022.2

申请日：2023-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奎焕 ,  金载润 ,  卢弦均 ,  马阿米 ,  李成熙 ,  张圭伯 ,  全优宁 ,  郑载勳

IPC: G01N21/25 ,  G01N21/84 ,  G06F30/27 ,  G06F18/2135 ,  G06F18/214 ,  G06N20/00

Abstract: 公开了用于基于光谱测量结构的方法和系统。所述用于基于光谱测量所述结构的方法包括：获得第一模型，第一模型包括第一子模型和在第一子模型之后的第二子模型并且基于仿真数据被训练；生成第二模型，第二模型包括与第一子模型相同的第三子模型；基于通过测量样本结构的光谱而生成的样本光谱数据，来训练第二模型；以及基于训练后的第二模型，从通过测量所述结构的光谱而生成的测量光谱数据估计所述结构。

公开(公告)号：CN115729672A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211020165.6

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马阿米 ,  卢弦均 ,  李伸旭 ,  任东哲 ,  张圭伯 ,  郑载勋

IPC: G06F9/455 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 提供了一种器件结构仿真设备和创建预测目标器件的结构的模型的方法。该器件结构仿真设备包括：存储器，其存储器件结构仿真程序；以及处理器，其被配置为执行存储在存储器中的器件结构仿真程序。通过执行器件结构仿真程序，器件结构仿真设备还被配置为接收目标器件的谱数据，通过对谱数据执行预处理来生成输入数据集，并且基于输入数据集来训练模型，使得模型被配置为预测目标器件的结构。预处理包括基于谱数据选择特定基函数并且将谱数据分离为特定基函数的集合，并且模型包括至少一个子模型。

公开(公告)号：CN111354726A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910766600.1

申请日：2019-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡教锡 ,  林兑旭 ,  卢弦均 ,  李元锡

IPC: H01L27/108

Abstract: 公开了一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底，包括彼此隔开的第一有源区域和第二有源区域；器件隔离膜，位于基底上，器件隔离膜限定第一有源区域和第二有源区域；以及埋入字线结构，穿过第一有源区域与第二有源区域之间的低介电区域，其中，埋入字线结构包括栅电极和栅极绝缘层，栅电极位于栅极沟槽中，栅极绝缘层位于栅电极的在低介电区域的外部的部分与栅极沟槽之间，并且其中，气隙设置在栅电极的在低介电区域内的部分与栅极沟槽之间。