公开(公告)号：CN120030971A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411473732.2

申请日：2024-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔翰林 ,  卢弦均 ,  金昇昱 ,  孙秀沇 ,  郑载勋 ,  崔允智

IPC: G06F30/39 ,  G06N20/00 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供对半导体工艺进行建模的方法和系统。所述方法包括：基于定义子工艺步骤和测量步骤的输入数据获得测量值；基于测量步骤，将子工艺步骤分组为分别与多个模块对应；以及基于分组的子工艺步骤和测量值，训练机器学习模型以预测半导体装置中的至少一个特性。机器学习模型包括第一子模型和第二子模型，第一子模型被配置为基于所述多个模块输出特征值，第二子模型被配置为基于所述特征值输出表示与所述多个模块中的每个模块对应的估计值和半导体装置的所述至少一个特性的输出值。

公开(公告)号：CN119089945A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410713503.7

申请日：2024-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻奎 ,  金奎焕 ,  马阿米 ,  李成熙 ,  张圭伯 ,  郑载勳 ,  赵完珠 ,  崔翰林

IPC: G06N3/0464 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/0475 ,  G06N3/047 ,  G06N3/045 ,  G06N20/10 ,  G06N3/126 ,  G06N3/092 ,  G06N3/086

Abstract: 提供了生成学习模型的方法和用于预测半导体装置结构的设备。所述设备包括：存储设备，被配置为存储学习模型，学习模型被配置为预测半导体装置的结构；以及存储器，被配置为存储至少一个代码，和至少一个处理器，可操作地连接到存储器并且被配置为执行至少一个代码以：将从半导体装置测量的非破坏性计量数据输入到学习模型中，并且基于学习模型预测半导体装置的结构，其中，学习模型使用训练数据被训练，训练数据包括作为非破坏性计量数据的第一数据和作为结构计量数据的第二数据，第二数据是第一数据的参考数据，并且其中，训练数据基于具有作为参考轴的与第一数据对应的第一轴和与第二数据对应的第二轴的空间中的第一投影数据的相似性被细化。