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公开(公告)号：CN101447226B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810110214.9
申请日：2008-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 提供了一种操作相变存储装置的方法，该相变存储装置包括相变层和向相变层施加电压的单元。所述方法包括：向相变层施加复位电压，其中，复位电压包括被连续施加的至少两个脉冲电压。
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公开(公告)号：CN101165911B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200710096172.3
申请日：2007-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1666
Abstract: 本发明提供一种在底电极接触层和相变层之间具有增大的接触面积的相变存储器件和制造该相变存储器件的方法。该相变存储器件包括：存储节点，包括填充通孔的底电极接触层、相变层和顶电极层；以及开关器件，连接到该底电极接触层，其中该底电极接触层具有朝向该相变层的突出部分。该突出部分通过以比该底电极接触层高的蚀刻速率干法或湿法蚀刻该底电极接触层周围的绝缘间层形成，或者利用选择性生长方法、或沉积和光刻工艺形成。进行选择性生长法或沉积和光刻工艺之后，还可进行干法或湿法蚀刻。
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公开(公告)号：CN1909239B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200610121248.9
申请日：2006-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1286 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明公开了一种相变材料、包括该相变材料的PRAM以及制造和操作这种PRAM的方法。绝缘杂质均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。该PRAM包括含有相变材料的相变层。相变材料的绝缘杂质含量可小于相变材料体积的10％。相变材料绝缘杂质的含量可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的电能调节。
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公开(公告)号：CN101447226A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810110214.9
申请日：2008-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 提供了一种操作相变存储装置的方法，该相变存储装置包括相变层和向相变层施加电压的单元。所述方法包括：向相变层施加复位电压，其中，复位电压包括被连续施加的至少两个脉冲电压。
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公开(公告)号：CN1970564A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610071134.8
申请日：2006-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/305 , C07F7/10 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 一种包含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体，一种制备该Te前体的方法，一种包含所述Te前体的含Te的硫族化物薄层，一种制备该薄层的方法，及一种相变存储设备。所述Te前体可以在较低温度下沉积形成掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层。举例来说，在较低沉积温度下，Te前体可以使用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)或等离子体增强的原子层沉积(PEALD)。使用所述Te前体形成的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST相变层的重置电流可以降低，从而当使用包含它的存储设备时，其集成是可能的，并且更高容量和/或更快速度的操作也是可能的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100555651C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510126836.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
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公开(公告)号：CN101000946A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610121685.0
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1233 , C23C16/305 , C23C16/45531 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种形成相变材料薄膜的方法和一种利用该相变材料薄膜制造相变存储器件的方法。该形成相变材料薄膜的方法包括：同时向反应室中供应包括Ge的第一前体和包括Te的第二前体，由此在衬底上形成GeTe薄膜；同时向所述GeTe薄膜上供应包括Te的第二前体和包括Sb的第三前体，由此形成SbTe薄膜；以及重复执行供应所述第一和第二前体以及供应所述第二和第三前体，由此形成GeSbTe薄膜。当为了制造半导体存储器件而利用该形成方法形成相变层时，存储器特性得以改善，而且制造处理提供了简化的工艺和减少的生产成本。
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公开(公告)号：CN1909239A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610121248.9
申请日：2006-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1286 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明公开了一种相变材料、包括该相变材料的PRAM以及制造和操作这种PRAM的方法。绝缘杂质均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。该PRAM包括含有相变材料的相变层。相变材料的绝缘杂质含量可小于相变材料体积的10％。相变材料绝缘杂质的含量可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的电能调节。
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公开(公告)号：CN1828922A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610004963.4
申请日：2006-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691 , Y10S977/754
Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在衬底上形成晶体管，第一电极电连接至所述衬底上的晶体管。在所述第一电极上沿纵向形成相变材料膜，在所述相变材料膜上形成第二电极。这里，所形成的位于所述相变材料膜和所述第二电极之间的接触区域具有30nm或更小的宽度。
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公开(公告)号：CN1996608B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610121663.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了一种相变材料、含有该相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的操作方法。所述相变存储器包括：开关元件；以及连接到所述开关元件的含有相变材料的存储节点。所述存储节点包括：第一电极；相变层；以及第二电极。所述相变层由掺杂了Ge的InSbTe化合物形成。所述相变材料的相变温度和重置电流低于使用常规GST化合物时的相变温度和重置电流。
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