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公开(公告)号：CN1855501A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610005080.5
申请日：2006-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C2213/15 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L51/0036 , H01L51/0591
Abstract: 本发明的存储器件包括具有布置在上电极和下电极之间的纳米沟道的存储层，其中该存储层由用于形成纳米孔的有机－无机复合物形成，并且所述存储层具有填入纳米孔的金属纳米颗粒或金属离子。因此，存储器件具有优异的重现性和均一的性能。
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公开(公告)号：CN1597738A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410074886.0
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
Abstract: 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体间层绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。
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公开(公告)号：CN1577906A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062068.9
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶－凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN1511881A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310124819.0
申请日：2003-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/31695 , Y10S428/924 , Y10S428/931 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种制备含有成孔材料的多孔电介质薄膜的组合物，所述组合物含有双向洗涤剂，烷基季铵，热稳定有机或无机基质前体以及用于溶解所述两种固体组分的溶剂。本发明还提供一种用于半导体器件，具有良好机械性能，例如硬度，模量和吸湿性的夹层绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1500846A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310102696.0
申请日：2003-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D183/14 , C08K5/04 , H01B3/46
CPC classification number: H01B3/185 , H01B3/18 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明提供一种用于制备多孔夹层介电薄膜的组合物，该组合物包含糖类或糖类衍生物，热稳定的有机或无机基质前体，及溶解所述两固体组分的溶剂。本发明还提供一种半导体器件所需的介电薄膜，其具有直径小于50的均匀分布的纳米孔(nano－pore)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100497480C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200410089606.3
申请日：2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
Abstract: 本发明披露了用于形成介电膜的组合物，其通过将含有羟基或烷氧基的硅氧烷类前体和成孔材料以及能够固化该硅氧烷类树脂前体的缩合催化剂产生剂一起溶解于有机溶剂中而制备。本发明还披露了具有低介电常数和改进的物理性质的多孔介电膜，其中通过将该组合物涂覆到基底上，接着通过曝光在低温下引起缩聚而形成介电膜。本发明还披露了在不使用光致抗蚀剂的情况下形成多孔介电膜的负片的方法，其包括通过掩膜对涂覆后的膜曝光，然后用显影剂除去未曝光区域。
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公开(公告)号：CN100407452C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410062068.9
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶-凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN101200633A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200810002850.X
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶－凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN1328345C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200310102696.0
申请日：2003-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D183/14 , C08K5/04 , H01B3/46
CPC classification number: H01B3/185 , H01B3/18 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明提供一种用于制备多孔夹层介电薄膜的组合物，该组合物包含糖类或糖类衍生物，热稳定的有机或无机基质前体，及溶解所述两固体组分的溶剂。本发明还提供一种半导体器件所需的介电薄膜，其具有直径小于50的均匀分布的纳米孔(nano-pore)。
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公开(公告)号：CN100460468C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200310124819.0
申请日：2003-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/31695 , Y10S428/924 , Y10S428/931 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种制备含有成孔材料的多孔电介质薄膜的组合物，所述组合物含有双向洗涤剂，烷基季铵，热稳定有机或无机基质前体以及用于溶解所述两种固体组分的溶剂。本发明还提供一种用于半导体器件，具有良好机械性能，例如硬度，模量和吸湿性的夹层绝缘薄膜。
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