-
公开(公告)号：CN103855194A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
-
公开(公告)号：CN1576297A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061735.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/04 , C09D183/04 , H01B3/46
CPC classification number: H01B3/46 , C08G77/50 , C09D183/14 , Y10T428/2962 , Y10T428/2995 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。
-
公开(公告)号：CN103855194B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
-
公开(公告)号：CN103296087B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201310038706.2
申请日：2013-01-31
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
-
公开(公告)号：CN100497480C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200410089606.3
申请日：2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
Abstract: 本发明披露了用于形成介电膜的组合物，其通过将含有羟基或烷氧基的硅氧烷类前体和成孔材料以及能够固化该硅氧烷类树脂前体的缩合催化剂产生剂一起溶解于有机溶剂中而制备。本发明还披露了具有低介电常数和改进的物理性质的多孔介电膜，其中通过将该组合物涂覆到基底上，接着通过曝光在低温下引起缩聚而形成介电膜。本发明还披露了在不使用光致抗蚀剂的情况下形成多孔介电膜的负片的方法，其包括通过掩膜对涂覆后的膜曝光，然后用显影剂除去未曝光区域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100439420C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410069858.X
申请日：2004-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/48 , H01L21/312
CPC classification number: H01L23/5329 , C08G77/50 , C08G77/58 , C08L83/14 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本文披露含有锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的半导体器件用间层绝缘膜。除优异的机械性能以外，硅氧烷基树脂具有低介电常数使得它们是半导体器件的互连层之间绝缘膜的有用材料。
-
公开(公告)号：CN101154588A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153180.7
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及一种能够经受低温工艺的介电薄膜用组合物。具体地说，本发明涉及一种使用该组合物而形成的金属氧化物介电薄膜、其制备方法、包含该介电薄膜的晶体管器件、和包含该晶体管器件的电子器件。应用了该介电薄膜的电子器件具有优异的电性能，从而同时满足低操作电压和高电荷迁移率。
-
公开(公告)号：CN1626537A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410090025.1
申请日：2004-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/21 , C08G77/08 , H01L21/312
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/50 , Y10T428/31663
Abstract: 一种多官能的环状硅酸盐(或酯)化合物，由该硅酸盐(或酯)化合物制备得到的基于硅氧烷的聚合物和使用基于硅氧烷的聚合物生产绝缘膜的方法。本发明的硅酸盐(或酯)化合物与常规的发孔材料高度相容，并且几乎不吸湿，因而可用于制备适于SOG方法的基于硅氧烷的聚合物。此外，通过使用基于硅氧烷的聚合物制备得到的膜，在机械性能、热稳定性和抗龟裂性方面是优良的，并且由于它的低吸湿性，在绝缘性质上有增强。因此，在半导体生产方面，本发明的膜可很好地用作绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN103296087A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310038706.2
申请日：2013-01-31
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
-
公开(公告)号：CN100393730C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410090025.1
申请日：2004-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/21 , C08G77/08 , H01L21/312
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/50 , Y10T428/31663
Abstract: 一种多官能的环状硅酸盐(或酯)化合物，由该硅酸盐(或酯)化合物制备得到的基于硅氧烷的聚合物和使用基于硅氧烷的聚合物生产绝缘膜的方法。本发明的硅酸盐(或酯)化合物与常规的发孔材料高度相容，并且几乎不吸湿，因而可用于制备适于SOG方法的基于硅氧烷的聚合物。此外，通过使用基于硅氧烷的聚合物制备得到的膜，在机械性能、热稳定性和抗龟裂性方面是优良的，并且由于它的低吸湿性，在绝缘性质上有增强。因此，在半导体生产方面，本发明的膜可很好地用作绝缘膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.032 seconds)
