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公开(公告)号：CN100460468C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200310124819.0
申请日：2003-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/31695 , Y10S428/924 , Y10S428/931 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种制备含有成孔材料的多孔电介质薄膜的组合物，所述组合物含有双向洗涤剂，烷基季铵，热稳定有机或无机基质前体以及用于溶解所述两种固体组分的溶剂。本发明还提供一种用于半导体器件，具有良好机械性能，例如硬度，模量和吸湿性的夹层绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN100455619C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410074886.0
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
Abstract: 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体层间绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。
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公开(公告)号：CN100393777C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410061735.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/04 , C09D183/04 , H01B3/46
CPC classification number: H01B3/46 , C08G77/50 , C09D183/14 , Y10T428/2962 , Y10T428/2995 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。
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公开(公告)号：CN1597738A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410074886.0
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
Abstract: 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体间层绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。
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公开(公告)号：CN1576297A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061735.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/04 , C09D183/04 , H01B3/46
CPC classification number: H01B3/46 , C08G77/50 , C09D183/14 , Y10T428/2962 , Y10T428/2995 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100497480C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200410089606.3
申请日：2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
Abstract: 本发明披露了用于形成介电膜的组合物，其通过将含有羟基或烷氧基的硅氧烷类前体和成孔材料以及能够固化该硅氧烷类树脂前体的缩合催化剂产生剂一起溶解于有机溶剂中而制备。本发明还披露了具有低介电常数和改进的物理性质的多孔介电膜，其中通过将该组合物涂覆到基底上，接着通过曝光在低温下引起缩聚而形成介电膜。本发明还披露了在不使用光致抗蚀剂的情况下形成多孔介电膜的负片的方法，其包括通过掩膜对涂覆后的膜曝光，然后用显影剂除去未曝光区域。
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公开(公告)号：CN101130553A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710146818.4
申请日：2007-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/0838 , C07F7/0805 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供芴类化合物，所述芴类化合物包括位于两端的芴或螺芴结构以及位于所述两端之间的包含一个或多个原子的间隔基。本发明还提供具有有机层的有机电致发光器件，在所述有机层中引入了芴类化合物。可采用干法和湿法容易地加工所述芴类化合物，并且使用所述芴类化合物的有机电致发光器件具有优异的色纯度、内部效率和外部效率、热稳定性、光学稳定性以及电学稳定性。
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公开(公告)号：CN1328345C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200310102696.0
申请日：2003-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D183/14 , C08K5/04 , H01B3/46
CPC classification number: H01B3/185 , H01B3/18 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明提供一种用于制备多孔夹层介电薄膜的组合物，该组合物包含糖类或糖类衍生物，热稳定的有机或无机基质前体，及溶解所述两固体组分的溶剂。本发明还提供一种半导体器件所需的介电薄膜，其具有直径小于50的均匀分布的纳米孔(nano-pore)。
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公开(公告)号：CN1577912A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062148.4
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/20 , H01L51/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L51/0052 , H01L51/0529 , H01L51/0537
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)，包括：顺序地形成在衬底上的栅电极、栅绝缘膜、有机有源层和源/漏电极，或者栅电极、栅绝缘膜、源/漏电极和有机有源层，其特征在于该栅绝缘膜是多层绝缘体，所述多层绝缘体包含高介电材料的第一层和能与该有机有源层相容的绝缘有机聚合物的第二层，所述第二层被直接放置在该有机有源层之下。本发明所述OTFT显示了低阈值和驱动电压、高电荷迁移率、高Ion/Ioff值，并且，还能通过湿法工艺制备。
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公开(公告)号：CN101130553B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200710146818.4
申请日：2007-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/0838 , C07F7/0805 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供芴类化合物，所述芴类化合物包括位于两端的芴或螺芴结构以及位于所述两端之间的包含一个或多个原子的间隔基。本发明还提供具有有机层的有机电致发光器件，在所述有机层中引入了芴类化合物。可采用干法和湿法容易地加工所述芴类化合物，并且使用所述芴类化合物的有机电致发光器件具有优异的色纯度、内部效率和外部效率、热稳定性、光学稳定性以及电学稳定性。
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