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公开(公告)号：CN118695600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410330568.3
申请日：2024-03-22
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种具有极性相关阈值电压偏移特性的自选择存储器件和/或包括该自选择存储器件的存储装置。该存储器件包括第一电极、远离并面对第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的存储层。存储层具有双向阈值开关特性，并且被配置为使得存储层的阈值电压随着存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，阈值电压根据施加到存储层的偏压的极性和强度而改变。此外，元素成分分布被配置为响应于存储层的阈值电压改变而在存储层中保持恒定。
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公开(公告)号：CN110349992B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811086256.3
申请日：2018-09-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10K39/32 , H01L27/146
摘要： 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。
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公开(公告)号：CN114464731A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110775864.0
申请日：2021-07-09
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
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公开(公告)号：CN1577912A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062148.4
申请日：2004-07-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L51/20 , H01L51/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L51/0052 , H01L51/0529 , H01L51/0537
摘要： 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)，包括：顺序地形成在衬底上的栅电极、栅绝缘膜、有机有源层和源/漏电极，或者栅电极、栅绝缘膜、源/漏电极和有机有源层，其特征在于该栅绝缘膜是多层绝缘体，所述多层绝缘体包含高介电材料的第一层和能与该有机有源层相容的绝缘有机聚合物的第二层，所述第二层被直接放置在该有机有源层之下。本发明所述OTFT显示了低阈值和驱动电压、高电荷迁移率、高Ion/Ioff值，并且，还能通过湿法工艺制备。
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公开(公告)号：CN1511863A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
摘要： 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n－型半导体性能的单元与一种表示p－型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN109524436B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201811091535.9
申请日：2018-09-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H10K59/10
摘要： 提供了一种用于防止莫尔图案变得可见的图案结构，以及使用该图案结构的显示装置。图案结构包括：第一元件图案，包括以第一间距规则排列的多个第一元件；第二元件图案，包括以第二间距规则排列的多个第二元件，第二元件图案设置在第一元件图案上；以及填充层，被配置为填充多个第二元件中的相邻第二元件之间的间隙。第二元件的透射率和填充层的透射率之间的差异为约5％或更小，因此，可以防止由于第一元件图案与第二元件图案的交叠而产生的莫尔图案变得可见。
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公开(公告)号：CN109524436A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811091535.9
申请日：2018-09-18
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： G06F3/0412 , G06F3/044 , G06K9/0002 , H01L27/323 , H01L27/3234 , H01L27/3244 , H01L27/32
摘要： 提供了一种用于防止莫尔图案变得可见的图案结构，以及使用该图案结构的显示装置。图案结构包括：第一元件图案，包括以第一间距规则排列的多个第一元件；第二元件图案，包括以第二间距规则排列的多个第二元件，第二元件图案设置在第一元件图案上；以及填充层，被配置为填充多个第二元件中的相邻第二元件之间的间隙。第二元件的透射率和填充层的透射率之间的差异为约5％或更小，因此，可以防止由于第一元件图案与第二元件图案的交叠而产生的莫尔图案变得可见。
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公开(公告)号：CN1322030C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
摘要： 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n-型半导体性能的单元与一种表示p-型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1979913A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510129418.3
申请日：2005-12-08
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L51/0529 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0078 , H01L51/052 , H01L51/105
摘要： 本发明公开了一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。根据该方法，被光刻法损坏的栅绝缘膜表面能够有效地恢复。另外，能够制得具有高载流子迁移率和高开/关电流比的有机薄膜晶体管。
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