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公开(公告)号：CN1891754B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200610093726.X
申请日：2006-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/122 , C08G61/126 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机聚合物半导体化合物，使用该化合物形成有机聚合物半导体薄膜的方法，和使用该化合物的有机薄膜晶体管。本发明的实施方式涉及侧链含有可除去的取代基的有机聚合物半导体化合物，同时涉及使用该有机聚合物半导体化合物作为有机活性层的有机薄膜晶体管，其具有较低的泄漏电流、较高的电荷载流子迁移率，和/或较高的开-关比。
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公开(公告)号：CN101200471A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710181168.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K19/3491 , C07D495/22 , C09K19/3494 , C09K19/40 , C09K2019/3408 , H01L51/0056 , H01L51/0074 , H01L51/0508 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供包括其中所有六个环可以稠合在一起的二－噻吩并－苯并－噻吩并－噻吩衍生物的杂并苯化合物、包括该杂并苯化合物的有机薄膜、以及包括作为载流子传输层的该有机薄膜的电子器件。本发明的化合物可以具有紧密平面结构从而实现溶剂溶解性和加工性能的改善。当该化合物用于电子器件时，可以应用沉积工艺或室温溶液工艺，并且也可以有效地实现分子间堆积和堆叠，导致电学性能提高，包括增加的电荷迁移率。
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公开(公告)号：CN1970551A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610171899.9
申请日：2006-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 公开了芳香烯二炔衍生物、生产由该芳香烯二炔衍生物形成的有机半导体薄膜的方法和制造包括该有机半导体薄膜的电子器件的方法。根据本发明的芳香烯二炔衍生物具有改进的化学和/或电学稳定性，其能提高所制得的半导体器件的可靠性。根据本发明的芳香烯二炔衍生物还可适用于在室温或接近室温的温度下通过基于溶液的方法，例如旋涂，在各种基质上进行沉积以形成涂膜，然后将该涂膜加热以形成有机半导体薄膜。这种可用的低温处理允许在大面积基质和/或在不适于高温处理的基质上使用所述芳香烯二炔衍生物。因此，根据本发明的所述有机半导体薄膜可用于薄膜晶体管、电致发光器件、太阳能电池和存储器件中。
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公开(公告)号：CN1637066A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410100228.4
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02118 , C08G61/124 , C08G73/0611 , C08L79/04 , C09D159/00 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , H01B3/442 , H01L21/02348 , H01L21/312 , H01L51/052
Abstract: 本发明公开了用于形成有机绝缘薄膜的组合物和由这种组合物形成的有机绝缘薄膜。所述的组合物包括具有马来酰亚胺结构的绝缘聚合物、交联剂和光酸发生剂以便形成交联结构。有机绝缘薄膜对随后光刻过程中使用的有机溶剂有优异的耐化学性并能提高晶体管的电性能。
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公开(公告)号：CN103730575B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410007030.5
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1891754A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610093726.X
申请日：2006-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/122 , C08G61/126 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机聚合物半导体化合物，使用该化合物形成有机聚合物半导体薄膜的方法，和使用该化合物的有机薄膜晶体管。本发明的实施方式涉及侧链含有可除去的取代基的有机聚合物半导体化合物，同时涉及使用该有机聚合物半导体化合物作为有机活性层的有机薄膜晶体管，其具有较低的泄漏电流、较高的电荷载流子迁移率，和/或较高的开－关比。
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公开(公告)号：CN1763035A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510113849.0
申请日：2005-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D333/18 , C07D409/04 , C07D413/04 , C07D417/04 , C07D487/04 , C07D471/04 , C07F5/02 , C07F7/22 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0068 , C08G61/12 , C08G61/126 , H01L51/0036 , H01L51/0072 , H01L51/0545
Abstract: 本发明披露一种低聚噻吩－亚芳基衍生物，其中具有n型半导体特征的亚芳基被引入至具有p型半导体特征的低聚噻吩中，从而同时表现出p型和n型半导体特征。本发明进一步披露使用该低聚噻吩－亚芳基衍生物制成的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1511863A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n－型半导体性能的单元与一种表示p－型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN103730575A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410007030.5
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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公开(公告)号：CN1891732B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2-30杂芳族结构的噻吩-亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
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