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公开(公告)号：CN1891732B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2-30杂芳族结构的噻吩-亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
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公开(公告)号：CN101355138A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710137394.5
申请日：2007-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/105 , C07F9/091 , C07F9/094 , C07F9/2408 , C07F9/2429 , H01L51/0075 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明披露一种包括磷酸酯类自组装单层的有机薄膜晶体管及其制造方法。本发明披露一种有机薄膜晶体管及其制造方法，该有机薄膜晶体管在源电极/漏电极和有机半导体之间可包括没有分子间交联的单键型磷酸酯类自组装单层，从而显示出改进的电性能，例如提高的电荷迁移率。
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公开(公告)号：CN1622362A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095369.1
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0081 , H01L51/0097 , H01L51/052 , H01L51/10 , H01L51/5237 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种包含衬底、栅极、栅极绝缘层、有机半导体层、源极－漏极和保护层的有机薄膜晶体管，其中在有机半导体层和保护层之间插入缓冲层。该晶体管使得因含有氧气和湿气的环境气体所引起的对晶体管性能的劣化和安装显示器件期间所引起的晶体管性能的下降减至最小。
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公开(公告)号：CN101255156B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810092029.1
申请日：2008-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D417/04 , C07D417/14 , C08G61/12 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: C07D417/04 , C07D417/14 , C07D421/14 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种合成物，该合成物在聚合物主链上除了含有显示p-型半导体性能的噻吩以及显示n-型半导体性能的噻唑环之外，还包含显示p-型半导体性能的杂亚芳基或亚芳基，包含该合成物的有机半导体聚合物，包含该有机半导体聚合物的有机有源层，包含该有机有源层的有机薄膜晶体管OTFT，包含该OTFT的电子器件，以及它们的制备方法。用于有机半导体聚合物并且包含噻唑环的示例性具体实施方案的合成物，其可以显示出增加的对有机溶剂的溶解度、同面性、可加工性以及改善的薄膜性能。
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公开(公告)号：CN101691420A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910009844.1
申请日：2009-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/123 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可由下式1表示。有机电子器件可包括上述有机半导体共聚物。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可提供改善的溶解性、加工性能和薄膜性能。因此，该有机半导体共聚物可用在多种电子器件中。合适的电子器件可为有机薄膜晶体管。当有机薄膜晶体管的有源层包含该有机半导体共聚物时，可获得更高的电荷迁移率和更低的断路泄漏电流。(式1)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1763035A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510113849.0
申请日：2005-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D333/18 , C07D409/04 , C07D413/04 , C07D417/04 , C07D487/04 , C07D471/04 , C07F5/02 , C07F7/22 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0068 , C08G61/12 , C08G61/126 , H01L51/0036 , H01L51/0072 , H01L51/0545
Abstract: 本发明披露一种低聚噻吩－亚芳基衍生物，其中具有n型半导体特征的亚芳基被引入至具有p型半导体特征的低聚噻吩中，从而同时表现出p型和n型半导体特征。本发明进一步披露使用该低聚噻吩－亚芳基衍生物制成的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101691420B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910009844.1
申请日：2009-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/123 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可由下式1表示。有机电子器件可包括上述有机半导体共聚物。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可提供改善的溶解性、加工性能和薄膜性能。因此，该有机半导体共聚物可用在多种电子器件中。合适的电子器件可为有机薄膜晶体管。当有机薄膜晶体管的有源层包含该有机半导体共聚物时，可获得更高的电荷迁移率和更低的断路泄漏电流。(式1)
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公开(公告)号：CN101200471A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710181168.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K19/3491 , C07D495/22 , C09K19/3494 , C09K19/40 , C09K2019/3408 , H01L51/0056 , H01L51/0074 , H01L51/0508 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供包括其中所有六个环可以稠合在一起的二－噻吩并－苯并－噻吩并－噻吩衍生物的杂并苯化合物、包括该杂并苯化合物的有机薄膜、以及包括作为载流子传输层的该有机薄膜的电子器件。本发明的化合物可以具有紧密平面结构从而实现溶剂溶解性和加工性能的改善。当该化合物用于电子器件时，可以应用沉积工艺或室温溶液工艺，并且也可以有效地实现分子间堆积和堆叠，导致电学性能提高，包括增加的电荷迁移率。
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公开(公告)号：CN101157758A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710153177.5
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , C08G65/007 , C08L29/04 , C08L71/02 , C08L2205/05 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/04 , G03F7/0757 , C08L2666/04
Abstract: 公开了一种全氟聚醚衍生物和光敏聚合物的共聚物，包含该共聚物的用于形成堤的组合物，和使用该组合物形成堤的方法。还公开了一种包含该组合物的有机薄膜晶体管，和包括该有机薄膜晶体管的电子器件。使用该共聚物可以使得能够通过溶液涂布方法形成堤。因为可以制造包括该方法形成的堤的有机薄膜晶体管，而有机薄膜晶体管的特性没有任何退化，可以表现出改善的电子性质。
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公开(公告)号：CN1970551A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610171899.9
申请日：2006-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 公开了芳香烯二炔衍生物、生产由该芳香烯二炔衍生物形成的有机半导体薄膜的方法和制造包括该有机半导体薄膜的电子器件的方法。根据本发明的芳香烯二炔衍生物具有改进的化学和/或电学稳定性，其能提高所制得的半导体器件的可靠性。根据本发明的芳香烯二炔衍生物还可适用于在室温或接近室温的温度下通过基于溶液的方法，例如旋涂，在各种基质上进行沉积以形成涂膜，然后将该涂膜加热以形成有机半导体薄膜。这种可用的低温处理允许在大面积基质和/或在不适于高温处理的基质上使用所述芳香烯二炔衍生物。因此，根据本发明的所述有机半导体薄膜可用于薄膜晶体管、电致发光器件、太阳能电池和存储器件中。
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