公开(公告)号：CN1916004A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200510091778.9

申请日：2005-08-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 慎重汉 ,  李在俊 ,  李相润 ,  金昌柱

IPC分类号： C07F7/28 ,  C07F7/00 ,  C07F5/06 ,  C07C31/28 ,  H01L51/30

CPC分类号： C08G77/58 ,  C08L83/14 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0525 ,  C08L2666/02

摘要： 本发明公开了有机－无机金属杂化材料，和用于生产有机绝缘体的含有该杂化材料的组合物。该杂化材料显示在有机溶剂和单体中的高溶解性，和对基底的优良粘附力。此外，该杂化材料具有高的介电常数和高度的交联性。基于这些优点，该杂化材料或组合物可用于通过湿法制备各种电子器件。

公开(公告)号：CN1763035A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510113849.0

申请日：2005-10-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑银贞 ,  金昌柱 ,  李相润 ,  李芳璘 ,  韩国珉

IPC分类号： C07D333/18 ,  C07D409/04 ,  C07D413/04 ,  C07D417/04 ,  C07D487/04 ,  C07D471/04 ,  C07F5/02 ,  C07F7/22 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0068 ,  C08G61/12 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0545

摘要： 本发明披露一种低聚噻吩－亚芳基衍生物，其中具有n型半导体特征的亚芳基被引入至具有p型半导体特征的低聚噻吩中，从而同时表现出p型和n型半导体特征。本发明进一步披露使用该低聚噻吩－亚芳基衍生物制成的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1448769A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03109003.6

申请日：2003-04-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 王种敏 ,  金昌柱

IPC分类号： G02F1/135

CPC分类号： G02F1/1416 ,  G02F1/133382 ,  G02F1/1341

摘要： 本发明公开了一种制造铁电液晶显示装置的方法，包括步骤：在分别具有衬底、电极层和取向膜的下结构体和上结构体之间形成的盒中注入熔融铁电液晶，并将盒密封；冷却，以获得铁电液晶的与书架结构相应的相变；在一温度下向该电极层施加直流电势，该温度在高于相变温度的温度至低于相变温度的温度之间；停止施加直流电势，并冷却到低于一预定温度；以及向电极层施加一反向电势，并再次冷却。由这种制造方法制造的铁电液晶显示装置可显示清晰的黑白状态，此装置具有有书架结构的单畴的液晶层。

公开(公告)号：CN1978439A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200510126966.0

申请日：2005-11-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 韩国珉 ,  郑银贞 ,  金昌柱 ,  李恩庆

IPC分类号： C07D333/04 ,  C07D487/04 ,  C07D487/16 ,  C07D487/06 ,  C07D487/14 ,  C07D241/38 ,  C07D251/12 ,  C07D213/04 ,  C07D237/06 ,  C07D207/30 ,  C07D233/54 ,  C07D249/08 ,  C07D263/30 ,  C07D261/06 ,  C07D271/06 ,  C07D275/02 ,  C07D277/20 ,  C07D285/08 ,  C08G61/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0068 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0069 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0545

摘要： 本发明公开了一种星形低聚噻吩－亚芳基衍生物，其中具有p－型半导体特性的低聚噻吩结合在位于分子中部具有n－型半导体特性的亚芳基上，并与亚芳基形成星形，因而同时具有p－型和n－型半导体特性。本发明还公开了一种利用所述低聚噻吩－亚芳基衍生物的有机薄膜晶体管。该星形低聚噻吩－亚芳基衍生物可以在室温下旋涂，使得可以制备有机薄膜晶体管，同时又满足高载流子迁移率和低截止状态漏电流的要求。

公开(公告)号：CN1215364C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03109003.6

申请日：2003-04-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 王种敏 ,  金昌柱

IPC分类号： G02F1/135

CPC分类号： G02F1/1416 ,  G02F1/133382 ,  G02F1/1341

摘要： 本发明公开了一种制造铁电液晶显示装置的方法，包括步骤：在分别具有衬底、电极层和取向膜的下结构体和上结构体之间形成的盒中注入熔融铁电液晶，并将盒密封；冷却，以获得铁电液晶的与书架结构相应的相变；在一温度下向该电极层施加直流电势，该温度在高于相变温度的温度至低于相变温度的温度之间；停止施加直流电势，并冷却到低于一预定温度；以及向电极层施加一反向电势，并再次冷却。由这种制造方法制造的铁电液晶显示装置可显示清晰的黑白状态，此装置具有有书架结构的单畴的液晶层。

公开(公告)号：CN1576981A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410063447.X

申请日：2004-07-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金昌柱 ,  王钟敏

IPC分类号： G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC分类号： G02F1/141 ,  G02F1/1337

摘要： 提供一种铁电液晶(FLC)器件的液晶对准方法。通过在N*－到－SmC*相温度范围内给液晶施加交变电流(AC)电场来控制液晶分子的光轴方向。由于光轴方向随着所希望的温度改变，因此可以最优化面板的光学特性。

公开(公告)号：CN1614467A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410098165.3

申请日：2004-11-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 王种敏 ,  朴相务 ,  吴镇庆 ,  赵泰熙 ,  金有珍 ,  古市启二 ,  玄淳莹 ,  金周永 ,  金昌柱

IPC分类号： G02F1/133 ,  G03B21/00

CPC分类号： H04N9/3114 ,  G02F1/1393 ,  G02F2001/13355 ,  G02F2001/133567 ,  G02F2001/133622 ,  G02F2202/40 ,  G02F2203/02 ,  G02F2203/64 ,  H04N9/3167

摘要： 提供了一种反射型液晶显示装置及使用该装置的投影仪。该反射型液晶显示装置包括具有反射电极的第一基板，具有透明电极的第二基板，设置在第一基板和第二基板上彼此相对地面对的第一和第二排列层，置于第一排列层和第二排列层之间以在二者之间形成预定的单元间隙的间隔件，以及注入到该单元间隙中的垂直排列的液晶，该单元间隙不超过1.0μm，该液晶的介电各向异性是负值，且该液晶的折射率各向异性不小于0.14。该投影仪包括光源、颜色分离单元、用于选择性地反射由颜色分离单元分离出的各色光束并依次将其入射以形成图像的反射型液晶显示装置，置于光源和反射型液晶显示装置之间的光路上的光路改变单元，及投影透镜单元。