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公开(公告)号：CN114447220A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111268571.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
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公开(公告)号：CN119654057A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411296122.X
申请日：2024-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开基于硫属化物的存储材料以及包括其的存储器件和电子装置。所述基于硫属化物的存储材料可包括具有由XaY’bSec表示的组成的三元半导体化合物，其中所述基于硫属化物的存储材料可具有双向阈值开关(OTS)特性，并且所述基于硫属化物的存储材料的阈值电压可根据施加的电压的极性和强度而改变。在XaY’bSec中，X≠Y，a+b+c＝1，a>0.12，b>0.18，c≥0.4，并且X和Y’独立地可为In、Sb、Ga、Sn、Al、Ge、Si、和P的不同者。所述存储器件可包括所述基于硫属化物的存储材料。所述电子装置可包括所述存储器件。
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公开(公告)号：CN116891221A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310376723.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117641940A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310417831.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器件和包括该存储器件的存储装置。该存储器件可以包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、在第一电极和第二电极之间的中间层、以及与中间层接触的界面层。中间层和界面层均可以具有双向阈值开关(OTS)特性。界面层的材料的阈值电压偏移可以大于中间层的阈值电压偏移(ΔVth)。
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公开(公告)号：CN115707327A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210367881.5
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件。开关器件包括第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间并包括硫族化物的开关材料层。开关材料层包括芯部分和覆盖芯部分的侧表面的壳部分。壳部分包括具有比芯部分的电阻大的电阻的材料，例如在芯部分和壳部分中的至少一个中。
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公开(公告)号：CN119947569A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411510999.4
申请日：2024-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种用于实现多级存储器的存储器设备和通过使用该存储器设备实现多级存储器的方法。该存储器设备包括：彼此分开的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的自选择存储器层，具有双向阈值切换特性，包括基于硫属化物的材料，并且被配置为具有取决于施加到其上的电压的极性和强度而变化的阈值电压；以及电阻式存储器层，所述电阻式存储器层在所述第二电极与所述自选择存储器层之间并且具有取决于施加到其上的电压而变化的电阻特性。所述存储器设备被配置为通过改变施加在所述第一电极与所述第二电极之间的电压的脉冲极性、脉冲数量、脉冲高度和脉冲宽度中的至少一个来实现多级电阻状态。
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公开(公告)号：CN119894006A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411449038.7
申请日：2024-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够实现多级存储器的基于硫属化物的存储器装置和包括该基于硫属化物的存储器装置的电子设备。所述存储器装置包括：第一电极和第二电极，其被布置成彼此间隔开；以及存储器层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括具有彼此不同的阈值电压的多个存储器材料层。多个存储器材料层中的每一个包括基于硫属化物的材料，具有双向阈值切换(OTS)特性，并且被配置为具有根据所施加的电压的极性和强度而变化的阈值电压。
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公开(公告)号：CN118695600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410330568.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有极性相关阈值电压偏移特性的自选择存储器件和/或包括该自选择存储器件的存储装置。该存储器件包括第一电极、远离并面对第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的存储层。存储层具有双向阈值开关特性，并且被配置为使得存储层的阈值电压随着存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，阈值电压根据施加到存储层的偏压的极性和强度而改变。此外，元素成分分布被配置为响应于存储层的阈值电压改变而在存储层中保持恒定。
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