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公开(公告)号：CN114464731A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110775864.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
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公开(公告)号：CN118262780A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311723396.8
申请日：2023-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储器装置、存储器装置测试方法和测试系统。所述存储器装置包括：存储器单元阵列；时序电路，被配置为：生成第一时钟信号和第二时钟信号，第二时钟信号具有第一时钟信号的频率的i倍的频率；命令解码器，被配置为接收包括多个即时(OTF)位的OTF数据；接收器，被配置为接收输入数据，被配置为基于第一时钟信号对输入数据进行采样，并且被配置为基于采样的输入数据生成第一信号；解串器，被配置为基于所述第二时钟信号从第一信号生成第一解串行化信号；数据模式生成器，被配置为基于第二时钟信号根据第一解串行化信号和OTF数据生成模式信号；以及解码器，被配置为将模式信号发送到存储器单元阵列，其中，i是大于或等于2的自然数。
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公开(公告)号：CN115482851A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210423496.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 电阻式存储器装置，其包括电阻式存储器图案；和电连接至所述电阻式存储器图案的选择元件图案，所述选择元件图案包括硫属化物开关材料和至少一种金属材料，所述硫属化物开关材料包括锗、砷和硒，且所述至少一种金属材料包括铝、锶或铟，其中所述选择元件图案包括非均匀材料层，在所述非均匀材料层中所述至少一种金属材料在所述选择元件图案中的含量根据在所述选择元件图案内的位置是可变的。
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公开(公告)号：CN114447220A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111268571.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
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公开(公告)号：CN114079005A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110918866.0
申请日：2021-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括覆盖半导体衬底上的电路元件的下绝缘结构和下绝缘结构上的上结构。上结构包括第一导线与第二导线之间的存储器单元结构。第一导线在第一水平方向上延伸，第二导线在第二水平方向上延伸。存储器单元结构包括在竖直方向上重叠的至少三个电极图案、数据存储材料图案和选择器材料图案。选择器材料图案包括阈开关材料和金属材料。阈开关材料包括锗(Ge)、砷(As)和硒(Se)，并且金属材料包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。金属材料的含量大于0原子％且小于2原子％。
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