公开(公告)号：CN114464731A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110775864.0

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁基延 ,  具本原 ,  权世甲 ,  金充满 ,  朴用永 ,  安东浩 ,  俞承根 ,  李昌承

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。

公开(公告)号：CN115707257A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210876277.5

申请日：2022-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权世甲 ,  安孝信 ,  金大新 ,  张印国

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括位于基底上并且在第一方向上延伸的多条第一导线、位于多条第一导线上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条第二导线以及分别位于多条第一导线与多条第二导线之间的多个存储器单元。多个存储器单元中的每个包括开关元件和可变电阻材料层。开关元件包括具有[GeXPYSeZ](1‑W)[O]W的组成的材料，其中0.15≤X≤0.50，0.15≤Y≤0.50，0.35≤Z≤0.70，并且0.01≤W≤0.10。

公开(公告)号：CN115811931A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210773794.X

申请日：2022-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁基延 ,  权世甲 ,  成河俊 ,  安东浩 ,  李昌承

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 提供基于硫属化物的材料、以及包括其的开关元件和存储器件。所述基于硫属化物的材料包括：硫属化物材料和掺杂剂。所述硫属化物材料包括Ge、Sb和Se。所述掺杂剂包括选自In、Al、Sr和Si的至少一种金属或准金属元素、所述金属或准金属元素的氧化物、或者所述金属或准金属元素的氮化物。

公开(公告)号：CN109698214A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811240519.1

申请日：2018-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋时虎 ,  朴日穆 ,  李广宇 ,  权世甲

IPC: H01L27/24

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：衬底、所述衬底上的第一电极、所述衬底上的第二电极、所述第一电极与所述第二电极之间的选择元件层、以及接触所述第一电极和所述第二电极中的任何一个电极的存储层。所述第一电极在第一方向上具有第一宽度。所述第二电极在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一电极间隔开。所述第二电极在所述第一方向上具有第二宽度。所述选择元件层包括接触所述第一电极的第一掺杂层。所述第一掺杂层包括第一浓度的杂质。所述选择元件层包括接触所述第二电极的第二掺杂层。所述第二掺杂层包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述杂质。