公开(公告)号：CN114464731A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110775864.0

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁基延 ,  具本原 ,  权世甲 ,  金充满 ,  朴用永 ,  安东浩 ,  俞承根 ,  李昌承

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。

公开(公告)号：CN110875429A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831757.8

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞承根 ,  吴哲 ,  李儐 ,  李政武 ,  李镇宇 ,  K·郑

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 提供了一种开关元件、一种可变电阻存储器装置以及一种制造开关元件的方法。所述开关元件包括：在衬底上的下阻挡电极、在下阻挡电极上的开关图案以及在开关图案上的上阻挡电极。下阻挡电极包括：第一下阻挡电极层以及插入在第一下阻挡电极层和开关图案之间的第二下阻挡电极层，第二下阻挡电极层的密度不同于第一下阻挡电极层的密度。

公开(公告)号：CN114079005A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110918866.0

申请日：2021-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李䈘傧 ,  吴哲 ,  金充满 ,  朴洸珉 ,  安东浩 ,  俞承根 ,  李镇宇 ,  崔昭娟

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 半导体装置包括覆盖半导体衬底上的电路元件的下绝缘结构和下绝缘结构上的上结构。上结构包括第一导线与第二导线之间的存储器单元结构。第一导线在第一水平方向上延伸，第二导线在第二水平方向上延伸。存储器单元结构包括在竖直方向上重叠的至少三个电极图案、数据存储材料图案和选择器材料图案。选择器材料图案包括阈开关材料和金属材料。阈开关材料包括锗(Ge)、砷(As)和硒(Se)，并且金属材料包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。金属材料的含量大于0原子％且小于2原子％。

公开(公告)号：CN110896087A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910857500.X

申请日：2019-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镇宇 ,  吴哲 ,  K·郑 ,  俞承根 ,  李傧

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 提供了一种开关元件、可变电阻存储器装置和制造该开关元件的方法。所述开关元件包括：设置在衬底上的下阻挡电极；设置在下阻挡电极上的开关图案；以及设置在开关图案上的上阻挡电极。开关图案包括第一开关图案和第二开关图案，所述第二开关图案设置在第一开关图案上并具有与第一开关图案的密度不同的密度。