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发明公开
包括数据存储材料图案和选择器材料图案的半导体装置无效

公开(公告)号：CN114079005A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110918866.0

申请日：2021-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李䈘傧 , 吴哲 , 金充满 , 朴洸珉 , 安东浩 , 俞承根 , 李镇宇 , 崔昭娟

IPC: H01L45/00 , H01L27/24

Abstract: 半导体装置包括覆盖半导体衬底上的电路元件的下绝缘结构和下绝缘结构上的上结构。上结构包括第一导线与第二导线之间的存储器单元结构。第一导线在第一水平方向上延伸，第二导线在第二水平方向上延伸。存储器单元结构包括在竖直方向上重叠的至少三个电极图案、数据存储材料图案和选择器材料图案。选择器材料图案包括阈开关材料和金属材料。阈开关材料包括锗(Ge)、砷(As)和硒(Se)，并且金属材料包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。金属材料的含量大于0原子％且小于2原子％。

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