公开(公告)号：CN118484911A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410039911.9

申请日：2024-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安在湜 ,  吴东益 ,  阮成纲 ,  林宣泽 ,  李昇玟 ,  张印国 ,  全柱炫

IPC: G06F30/20 ,  C23C14/34 ,  C23C16/50 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  G16C20/10

Abstract: 提供等离子体工艺模拟方法以及包括其的半导体器件制造方法，所述等离子体工艺模拟方法包括：定义晶片的等离子体反应，计算等离子体反应的反应参数，以及基于计算的反应参数生成等离子体工艺模拟曲线图。反应参数基于物理反应和化学反应来设置。

公开(公告)号：CN115935896A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211140798.0

申请日：2022-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 廉京美 ,  亚历山大.施密特 ,  安东尼.皮埃尔.杰拉德.帕耶特 ,  安孝信 ,  张印国

IPC: G06F30/394 ,  G06F30/398 ,  G06F115/12

Abstract: 一种布局检查方法包括：通过预处理全芯片布局来生成布局外壳结构；通过预处理至少一个工艺条件来生成工艺条件模型；通过基于布局外壳结构和工艺条件模型执行应力模拟来提取布局外壳结构的应力模拟值；以及基于布局外壳结构的应力模拟值来提取统计数据，其中布局外壳结构和工艺条件模型被配置为具有大于二维并且小于三维的维度。

公开(公告)号：CN117935947A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311355437.2

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 阮成纲 ,  朴智暎 ,  金贞儿 ,  李昇玟 ,  张印国

IPC: G16C20/10

Abstract: 公开了发掘光致抗蚀剂溶解剂的方法和系统。所述方法包括：获得限定配体材料的输入数据；基于所述输入数据估计配体交换反应的反应能量，在配体交换反应中，包括第一金属和第一配体的第一络合物的第一配体与第二配体交换；基于物理模型估计与反应能量对应的第一金属的残余浓度；以及基于所述残余浓度验证提供第二配体的光致抗蚀剂溶解剂。

公开(公告)号：CN115547426A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210680043.3

申请日：2022-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 阮成纲 ,  金大建 ,  朴智暎 ,  金贤友 ,  李升珉 ,  张印国 ,  洪锡九

IPC: G16C20/30 ,  G16C20/70 ,  G06N20/00 ,  G06N20/20 ,  G06N5/00

Abstract: 公开了一种估计溶解度的方法和系统。该方法包括：获得表示目标材料的化学结构的输入数据；基于输入数据生成至少一个描述符；通过将至少一个描述符提供给基于样品材料的化学结构和样品溶解度参数训练的机器学习模型来获得至少一个溶解度参数；以及基于至少一个溶解度参数计算溶解度，其中，至少一个描述符包括各自表示目标材料的化学结构的零维描述符、一维描述符、二维描述符和三维描述符中的至少一个。

公开(公告)号：CN115707257A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210876277.5

申请日：2022-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权世甲 ,  安孝信 ,  金大新 ,  张印国

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括位于基底上并且在第一方向上延伸的多条第一导线、位于多条第一导线上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条第二导线以及分别位于多条第一导线与多条第二导线之间的多个存储器单元。多个存储器单元中的每个包括开关元件和可变电阻材料层。开关元件包括具有[GeXPYSeZ](1‑W)[O]W的组成的材料，其中0.15≤X≤0.50，0.15≤Y≤0.50，0.35≤Z≤0.70，并且0.01≤W≤0.10。