公开(公告)号：CN114447220A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111268571.X

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁祐荣 ,  具本原 ,  金充满 ,  朴洸珉 ,  成河俊 ,  安东浩 ,  李昌承 ,  崔旻雨

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。

公开(公告)号：CN110034335B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910018638.0

申请日：2019-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任成镇 ,  郑熙树 ,  金敬焕 ,  朴辉烈 ,  孙精国 ,  梁祐荣 ,  李在洺 ,  李俊亨 ,  许晋硕

IPC: H01M10/058 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/136

Abstract: 一种电化学装置包括正电极集流体、设置在正电极集流体上的多个正电极、设置在所述多个正电极上的电解质层、设置在电解质层上的负电极以及设置在负电极上的负电极集流体，其中电解质层包括第一电解质层和第二电解质层，以及其中第二电解质层在第一电解质层与负电极之间。

公开(公告)号：CN115707327A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210367881.5

申请日：2022-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔旻雨 ,  具本原 ,  朴用永 ,  成河俊 ,  安东浩 ,  梁基延 ,  梁祐荣 ,  李昌承

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10

Abstract: 提供一种开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件。开关器件包括第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间并包括硫族化物的开关材料层。开关材料层包括芯部分和覆盖芯部分的侧表面的壳部分。壳部分包括具有比芯部分的电阻大的电阻的材料，例如在芯部分和壳部分中的至少一个中。

公开(公告)号：CN104736479B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201380055154.4

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东圭 ,  李柱明 ,  沈揆恩 ,  梁祐荣

IPC: C01B33/02 ,  C01D15/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01M4/366 ,  C01B33/02 ,  C01D15/02 ,  H01M4/13 ,  H01M4/386 ,  H01M4/485 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明提供了一种硅纳米粒子，该硅纳米粒子在硅纳米粒子的制造或后处理的过程中添加锂源和碳源来进行表面改性以使在表面包括LixSiyOz相的被膜和碳(C)覆盖层。根据本发明，能够防止在粉碎过程中非常容易氧化的硅纳米粒子的表面氧化。通过将防止了氧化的硅纳米粒子用作阴极材料，能够消除因氧化被膜而导致的容量减少、电解液枯竭等问题，由此能够防止锂二次电池特性劣化的现象。

公开(公告)号：CN116891221A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310376723.0

申请日：2023-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成河俊 ,  康永宰 ,  具本原 ,  朴用永 ,  安东浩 ,  梁基延 ,  梁祐荣 ,  李昌承 ,  崔旻雨

IPC: C01B19/00 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。

公开(公告)号：CN110034335A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910018638.0

申请日：2019-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任成镇 ,  郑熙树 ,  金敬焕 ,  朴辉烈 ,  孙精国 ,  梁祐荣 ,  李在洺 ,  李俊亨 ,  许晋硕

IPC: H01M10/058 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/136

Abstract: 一种电化学装置包括正电极集流体、设置在正电极集流体上的多个正电极、设置在所述多个正电极上的电解质层、设置在电解质层上的负电极以及设置在负电极上的负电极集流体，其中电解质层包括第一电解质层和第二电解质层，以及其中第二电解质层在第一电解质层与负电极之间。

公开(公告)号：CN102386248A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110196575.1

申请日：2011-07-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴用永 ,  金琏熙 ,  梁祐荣 ,  金贤钟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  C03C8/18 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池包括：半导体基底；钝化膜，设置在所述半导体基底的一侧上；保护层，设置在所述钝化膜的与所述半导体基底相对的一侧上；电极，设置在所述保护层的与所述钝化膜相对的一侧上，其中，所述电极包括含有玻璃料和导电材料的导电糊的产物，其中，所述保护层包含吉布斯自由能的绝对值比所述玻璃料的每个组分的吉布斯自由能的绝对值小的材料。