使用原子层沉积填充间隙的方法和设备

    公开(公告)号:CN113818007A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202110191386.9

    申请日:2021-02-19

    Abstract: 提供了使用原子层沉积填充间隙的方法和设备。该方法包括通过将反应抑制剂吸附到间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层、通过将第一反应物吸附到间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上而形成第一前体层、以及在间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上形成第一原子层。反应抑制剂包括不与第二反应物反应的前体材料。第一反应抑制层具有其中反应抑制剂的密度朝向间隙的底部减小的密度梯度。形成第一原子层包括将第二反应物吸附到第一前体层上。

    集成光拾取器和制造它的方法及包括它的光信息存储系统

    公开(公告)号:CN1551159A

    公开(公告)日:2004-12-01

    申请号:CN200410045118.2

    申请日:2004-05-09

    CPC classification number: G11B7/1353 G11B7/123 G11B7/22

    Abstract: 提供一种集成光学拾取器及其制造方法,以及包括该光学拾取器的光学信息存储系统。集成光学拾取器包括:光源;主光探测器,用于接收由光源发射以及从信息存储介质反射的光;聚光和光路分离元件,用于将由光源发射的光聚焦在光学存储介质上并将入射在光学信息存储介质上的光的光路和由光学信息存储介质反射的光的光路分离;和光具座,其联结至聚光和光路分离元件,光路形成于光源和主光探测器、和聚光和光路分离元件之间,且光具座和聚光和光路分离元件分别形成于晶片上接着通过分离成多个组件获得。超小集成光学拾取器和包括光学拾取器的光学信息存储系统可以低成本批量地制造。

    双面压印光刻系统
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101377618B

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN200810130342.X

    申请日:2008-07-11

    CPC classification number: G03F7/0002 B82Y10/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明提供一种双面压印光刻系统,该双面压印光刻系统包括:介质支撑单元,支撑介质,其中,所述介质的两个表面涂覆有紫外(UV)硬化树脂;第一模具支撑单元和第二模具支撑单元,分别支撑第一模具和第二模具,并分别设置在介质支撑单元之上和之下;竖直运动装置,使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动;第一UV照射装置,安装在第一模具支撑单元之上,以照射UV光线;第二UV照射装置,安装在第二模具支撑单元之下,以照射UV光线。

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