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公开(公告)号：CN109524436B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201811091535.9
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/10
Abstract: 提供了一种用于防止莫尔图案变得可见的图案结构，以及使用该图案结构的显示装置。图案结构包括：第一元件图案，包括以第一间距规则排列的多个第一元件；第二元件图案，包括以第二间距规则排列的多个第二元件，第二元件图案设置在第一元件图案上；以及填充层，被配置为填充多个第二元件中的相邻第二元件之间的间隙。第二元件的透射率和填充层的透射率之间的差异为约5％或更小，因此，可以防止由于第一元件图案与第二元件图案的交叠而产生的莫尔图案变得可见。
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公开(公告)号：CN109524436A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811091535.9
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/044 , G06K9/0002 , H01L27/323 , H01L27/3234 , H01L27/3244 , H01L27/32
Abstract: 提供了一种用于防止莫尔图案变得可见的图案结构，以及使用该图案结构的显示装置。图案结构包括：第一元件图案，包括以第一间距规则排列的多个第一元件；第二元件图案，包括以第二间距规则排列的多个第二元件，第二元件图案设置在第一元件图案上；以及填充层，被配置为填充多个第二元件中的相邻第二元件之间的间隙。第二元件的透射率和填充层的透射率之间的差异为约5％或更小，因此，可以防止由于第一元件图案与第二元件图案的交叠而产生的莫尔图案变得可见。
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公开(公告)号：CN101201538B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710194762.X
申请日：2007-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/42 , G03F7/00 , G03F9/00 , H01L23/544
CPC classification number: G03F9/7084 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F9/7076 , G03F9/708 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种图案模板及其制造方法，该图案模板包括柔性基底、形成在柔性基底上并包括图案的模板模子和对准标记，对准标记的折射率大于模板模子的折射率。通过提供包括图案区的主模板、在图案区涂覆用于模子的树脂、通过在用于模子的树脂上安装柔性板并通过照射UV射线固化用于模子的树脂来形成模板模子、将模板模子与主模板分离、在模板模子上涂覆薄的金属膜并在模板模子的两侧均形成对准标记，来制造该图案模板。
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公开(公告)号：CN1996471A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610121478.5
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B5/02 , G11B5/127
CPC classification number: G11B5/127 , G11B5/02 , G11B5/314 , G11B2005/001 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录头，其安装在具有ABS(气垫面)的滑块的末端用于在记录介质上记录数据。该热辅助磁记录头包括：形成用于记录数据的磁场的磁路形成单元；用于发射光加热记录介质的局部区域的光源；波导，位于磁路形成单元的侧部从而传输光源发射的光；光路变换单元，改变波导传输的光的方向到记录介质的该局部区域；及纳米开口，用于通过转换经光路变换单元传输的光的能量分布来产生增强的近场效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116088072A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211078102.6
申请日：2022-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种光学器件形成折射率分布，用于相对于可见光波长的光表现出一定的相位延迟轮廓，并且该光学器件包括纳米图案层，该纳米图案层包括相对于可见光波长带的光具有大于3的折射率并且具有等于或小于2μm的高度的晶体化合物。纳米图案层可以包括根据选择性外延生长方法生长的晶体化合物，因此，可以具有有利于制造工艺的高度。因此，可以提高光学器件的效率。
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公开(公告)号：CN102759853A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210192665.8
申请日：2008-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/2014 , G03F1/50 , G03F7/70375
Abstract: 本发明提供了一种制造离散轨道磁记录介质的方法。该制造离散轨道磁记录介质的方法包括以下步骤：(a)在基底上顺序地形成下层、记录层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有形成同心圆的线图案以预定间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部被曝光，以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案；(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻记录层。
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公开(公告)号：CN100590722C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610121478.5
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B5/02 , G11B5/127
CPC classification number: G11B5/127 , G11B5/02 , G11B5/314 , G11B2005/001 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录头，其安装在具有ABS(气垫面)的滑块的末端用于在记录介质上记录数据。该热辅助磁记录头包括：形成用于记录数据的磁场的磁路形成单元；用于发射光加热记录介质的局部区域的光源；波导，位于磁路形成单元的侧部从而传输光源发射的光；光路变换单元，改变波导传输的光的方向到记录介质的该局部区域；及纳米开口，用于通过转换经光路变换单元传输的光的能量分布来产生增强的近场效应。
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公开(公告)号：CN101403854A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810145253.2
申请日：2008-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/2014 , G03F1/50 , G03F7/70375
Abstract: 本发明提供了一种纳米图案化的方法和一种制造纳米压印母板和离散轨道磁记录介质的方法。该纳米图案化的方法包括以下步骤：(a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有线图案以预定的间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得光致抗蚀剂层通过表面等离子体激元被曝光成第二图案；(c)去除金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN102759854A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210192882.7
申请日：2008-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/2014 , G03F1/50 , G03F7/70375
Abstract: 本发明提供了一种纳米图案化的方法和一种制造纳米压印母板和离散轨道磁记录介质的方法。该纳米图案化的方法包括以下步骤：(a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有图案以预定间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部以及光致抗蚀剂层的位于金属层的图案的中部下方的部分被曝光，以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案；(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。
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