公开(公告)号：CN100455619C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410074886.0

申请日：2004-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林珍亨 ,  柳利烈 ,  宋基鎔 ,  郑铉潭 ,  柳俊城

IPC: C08G77/50 ,  H01B3/46

CPC classification number: C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体层间绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。

公开(公告)号：CN100393777C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410061735.1

申请日：2004-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳利烈 ,  宋基熔 ,  柳俊城 ,  宣钟白

IPC: C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01B3/46

CPC classification number: H01B3/46 ,  C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/2962 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。

公开(公告)号：CN1597738A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410074886.0

申请日：2004-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林珍亨 ,  柳利烈 ,  宋基镕 ,  郑铉潭 ,  柳俊城

IPC: C08G77/48 ,  H01B3/46

CPC classification number: C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体间层绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。

公开(公告)号：CN1576297A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410061735.1

申请日：2004-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳利烈 ,  宋基熔 ,  柳俊城 ,  宣钟白

IPC: C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01B3/46

CPC classification number: H01B3/46 ,  C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/2962 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。

公开(公告)号：CN100422241C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410047406.1

申请日：2004-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳利烈 ,  林珍亨 ,  柳俊城 ,  宋其熔

IPC: C08G77/04 ,  H01B3/46

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/50 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体器件的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能、耐热性和耐裂性之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。

公开(公告)号：CN1572816A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047406.1

申请日：2004-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳利烈 ,  林珍亨 ,  柳俊城 ,  宋其熔

IPC: C08G77/04 ,  H01B3/46

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/50 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体器件的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能、耐热性和耐裂性之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。