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公开(公告)号：CN103296087A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310038706.2
申请日：2013-01-31
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
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公开(公告)号：CN103855194A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
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公开(公告)号：CN103855194B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
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公开(公告)号：CN103296087B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201310038706.2
申请日：2013-01-31
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
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公开(公告)号：CN103872138B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103872138A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L29/1033 , H01L29/66742
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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公开(公告)号：CN104425611A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410182596.1
申请日：2014-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/1033 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 提供了晶体管和包括该晶体管的显示装置。该晶体管可以包括具有多层结构的沟道层。沟道层可包括第一层和第二层，该第一层和第二层包括具有各自浓度的多个元素中的至少一个，该第一层可以比第二层更靠近栅极设置。由于元素和元素各自的浓度的组合，所以第二层可具有比第一层的电阻高的电阻。第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌、氧和氮的半导体材料。替代地，第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌氟氮化物的半导体材料。第二层的氧含量可以高于第一层的氧含量。第二层的氟含量可以高于第一层的氟含量。
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公开(公告)号：CN104347813B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201410282938.7
申请日：2014-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开晶体管、制造晶体管的方法和/或包括晶体管的电子装置。在示例实施方式中，晶体管包括彼此串联连接的第一场效应晶体管(FET)和第二FET，其中第一FET的第一栅极绝缘膜和第二FET的第二栅极绝缘膜具有不同的泄漏电流特性或不同的栅极电场特性。
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公开(公告)号：CN104347813A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410282938.7
申请日：2014-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1251 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开晶体管、制造晶体管的方法和/或包括晶体管的电子装置。在示例实施方式中，晶体管包括彼此串联连接的第一场效应晶体管(FET)和第二FET，其中第一FET的第一栅极绝缘膜和第二FET的第二栅极绝缘膜具有不同的泄漏电流特性或不同的栅极电场特性。
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公开(公告)号：CN102347368B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110115503.X
申请日：2011-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。
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