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公开(公告)号：CN1577906A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062068.9
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶－凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101200633B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810002850.X
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶-凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN1610062B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410063781.5
申请日：2004-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/208 , H01L33/00 , H01L51/00 , H05B33/00
CPC classification number: C09K11/883 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/52 , C30B7/00 , C30B7/005 , H01L21/02551 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/4213 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S977/777 , Y10S977/784 , Y10S977/785 , Y10S977/824 , Y10S977/825 , Y10T428/12028 , Y10T428/12049 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991
Abstract: 本发明提供一种化学湿法制备12-16族化合物半导体纳米晶体的方法。该方法包括将一种或多种12族金属或12族前体与分散剂和溶剂混合，然后通过加热得到12族金属前体溶液；将一种或多种16族元素或16族前体溶解于配位溶剂，得到16族元素前体溶液；及将12族金属前体溶液与16族元素前体溶液混合成混合物，然后使该混合物反应，以生长半导体纳米晶体。12-16族化合物半导体纳米晶体稳定，并且具有高量子效率以及均匀的尺寸和形状。
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公开(公告)号：CN100407452C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410062068.9
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶-凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN101200633A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200810002850.X
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶－凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN1610062A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410063781.5
申请日：2004-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/208 , H01L33/00 , H01L51/00 , H05B33/00
CPC classification number: C09K11/883 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/52 , C30B7/00 , C30B7/005 , H01L21/02551 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/4213 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S977/777 , Y10S977/784 , Y10S977/785 , Y10S977/824 , Y10S977/825 , Y10T428/12028 , Y10T428/12049 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991
Abstract: 本发明提供一种化学湿法制备12－16族化合物半导体纳米晶体的方法。该方法包括将一种或多种12族金属或12族前体与分散剂和溶剂混合，然后通过加热得到12族金属前体溶液；将一种或多种16族元素或16族前体溶解于配位溶剂，得到16族元素前体溶液；及将12族金属前体溶液与16族元素前体溶液混合成混合物，然后使该混合物反应，以生长半导体纳米晶体。12－16族化合物半导体纳米晶体稳定，并且具有高量子效率以及均匀的尺寸和形状。
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