公开(公告)号：CN1828922A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610004963.4

申请日：2006-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  姜闰浩 ,  卢振瑞 ,  瓦西列·勒尼阿钦 ,  宋美贞

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1691 ,  Y10S977/754

Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在衬底上形成晶体管，第一电极电连接至所述衬底上的晶体管。在所述第一电极上沿纵向形成相变材料膜，在所述相变材料膜上形成第二电极。这里，所形成的位于所述相变材料膜和所述第二电极之间的接触区域具有30nm或更小的宽度。

公开(公告)号：CN100514664C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610004963.4

申请日：2006-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  姜闰浩 ,  卢振瑞 ,  瓦西列·勒尼阿钦 ,  宋美贞

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1691 ,  Y10S977/754

Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在衬底上形成晶体管，第一电极电连接至所述衬底上的晶体管。在所述第一电极上沿纵向形成相变材料膜，在所述相变材料膜上形成第二电极。这里，所形成的位于所述相变材料膜和所述第二电极之间的接触区域具有30nm或更小的宽度。

公开(公告)号：CN1828923A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610004964.9

申请日：2006-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  姜闰浩 ,  瓦西列·勒尼阿钦 ,  宋美贞 ,  瑟盖·安托诺夫

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在第一电极上形成介电层，在所述介电层的接触孔中形成导电触头。在所述介电层上形成相变材料膜以覆盖所述导电触头，并在所述相变材料膜上形成第二电极。晶体管电连接至所述第一电极。由此形成了宽度小于30nm的导电触头。